一种多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统及方法技术方案

本发明专利技术提供了一种多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统及方法，所述的多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统包括依次连接的雾化单元与反应单元；雾化单元包括至少一个雾化容器，雾化容器内设置有至少两个雾化模块，至少两个雾化模块分别独立地包括溶液罐与超声波发生机构，溶液罐具有敞口结构，溶液罐内容纳有原料溶液，切换不同雾化模块的超声波发生机构雾化溶液罐内的原料溶液形成雾气，雾气流入反应单元内，以生长依次层叠的至少两层氧化物膜层，或生长具有至少两种掺杂金属的合金氧化物薄膜。本发明专利技术提供多种雾化源，可以控制不同浓度配比、不同掺杂金属的原料溶液进行雾化，能够得到具有多层膜层的氧化物膜或合金氧化物薄膜。化物薄膜。化物薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统及方法


[0001]本专利技术属于薄膜制备
，涉及氧化镓薄膜的制备，尤其涉及一种多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统及方法。

技术介绍

[0002]Mist
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CVD（Mist Chemical Vapor Deposition，雾化化学气相沉积）通常将原料溶液用超声雾化器雾化为微米级液滴，再通过载气将液滴输送到反应部，在一定温度下反应形成氧化膜。Mist
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CVD工作与分子束外延（Molecular beam epitaxy，MBE）和金属有机化学淀积（Metal
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Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）方法不同，可以在大气压和相对低温的环境下，不需要昂贵的真空系统和射频发生器，也不需要像HVPE（Halide Vapor Phase Epitaxy，卤化物气相外延）法一样使用HCl、Cl2等烈性前驱体，且结构简单，安装和维护更为简单廉价，同时效率更高，能耗更少，毒性和危险性更少，是一种安全、廉价、环境本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统，其特征在于，所述的多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统包括依次连接的雾化单元与反应单元；所述雾化单元包括至少一个雾化容器，所述雾化容器内设置有至少两个雾化模块，至少两个所述雾化模块分别独立地包括溶液罐与超声波发生机构，所述溶液罐具有敞口结构，所述溶液罐内容纳有原料溶液，切换不同雾化模块的所述超声波发生机构雾化所述溶液罐内的原料溶液形成雾气，所述雾气流入所述反应单元内，以生长依次层叠的至少两层氧化物膜层，或生长具有至少两种掺杂金属的合金氧化物薄膜。2.根据权利要求1所述的多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统，其特征在于，所述雾化单元还包括进气管道、出气管道与混合管道；所述进气管道连接所述雾化容器，用于提供载气；所述混合管道内流通有稀释气体；所述出气管道的一端连接所述雾化容器，另一端连通所述混合管道，用于将所述雾化容器内的雾气排入至所述混合管道内，并与稀释气体混合得到混合气体；所述混合管道连接所述反应单元，用于将混合气体送入所述反应单元内。3.根据权利要求1所述的多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统，其特征在于，所述超声波发生机构包括基座，所述基座设置于所述溶液罐的底部，所述基座内设置有至少一个超声波发生组件；所述基座靠近所述溶液罐的一侧表面开设有容纳槽，所述容纳槽内盛放有介质液体，所述超声波发生组件产生的超声波通过所述介质液体传递至所述溶液罐。4.根据权利要求3所述的多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统，其特征在于，所述雾化容器的顶部表面开设有第一通气孔，所述第一通气孔的用于排出雾气；所述雾化容器的侧壁上开设有第二通气孔，所述第二通气孔用于流通载气；所述溶液罐的底部表面设置有隔膜，所述隔膜接触所述介质液体；所述隔膜包括聚乙烯、聚四氟乙烯或聚偏二氟乙烯。5.根据权利要求1所述的多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统，其特征在于，所述反应单元包括反应室，所述反应室内沿雾气流动方向依次设置有整流腔室、反应腔室与缓冲腔室；所述反应腔室内设置有衬底，所述衬底用于生长所述氧化物膜层；所述衬底包括c面蓝宝石；所述反应腔室的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，郭超，母凤文，
申请(专利权)人：青禾晶元晋城半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：