本发明公开了一种LED外延片及其制备方法、LED芯片及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域。LED外延片包括氮化铝复合衬底，氮化铝复合衬底包括基衬底、氮化镓缓冲层和氮化铝薄膜层，氮化镓缓冲层设于基衬底上，氮化铝薄膜层键合于氮化镓缓冲层上，...

本发明提供一种注入剥离方法以及其中氢离子注入的方法，所述氢离子注入的方法包括：注入氢离子，所述氢离子包括质量数为1的第一氢离子和质量数为2的第二氢离子团。所述注入剥离方法包括：（1）在施给衬底的下部进行所述注入氢离子，形成氢离子聚集区；...

本实用新型涉及电子器件加工技术领域，具体公开了一种治具的安装结构及晶圆平坦度测量装置

本发明涉及一种基于机械减薄技术制备复合压电衬底的方法，所述方法包括：首先，将压电材料与半导体材料衬底进行键合，得到含有压电层的键合体；然后，将压电层中远离键合面一侧的边缘圆角通过加工

本发明公开了一种载流子迁移率的计算方法和装置

本发明涉及一种复合压电衬底的制备方法，所述制备方法包括：首先，将压电材料供体的待键合面进行离子注入，在压电材料供体的待键合面形成损伤层，得到含有损伤层的压电材料供体；然后，将含有损伤层的压电材料供体和半导体材料衬底进行键合，得到键合体；...

本发明涉及一种提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底

本发明公开了一种复合结构的顶膜厚度检测装置及检测方法，该顶膜厚度检测装置包括电极

本发明公开了一种晶圆片盒清洗设备及晶圆片盒清洗方法，属于半导体晶圆片盒清洗技术领域

本发明提供一种光催化复合抛光垫及其制备方法与抛光方法，所述光催化复合抛光垫呈圆饼状，包括层叠设置的软质层、交界层和硬质层；所述软质层靠近交界层的一侧表面设置有至少1个环形沟槽，且所述环形沟槽将抛光垫的表面分隔成至少2个区域；所述交界层的...

本发明提供了一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法，所述等离子刻蚀装置在刻蚀仓内部设置有加热盘、射频线圈以及位于两者之间的且具有贯穿上下表面的孔的多孔挡板；所述装置通过使等离子体穿过多孔挡板再轰击到待刻蚀物上，来调整并优化等离子的刻蚀...

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法。该化学机械抛光装置包括抛光台、抛光垫、抛光头、氧化组件和抛光液组件，抛光垫设置于抛光台上；抛光头用于吸附晶圆的背面，抛光头能够旋转，并使晶圆压向抛光垫；氧化组...

本发明涉及一种FD

本发明公开了一种键合片的分离装置及其分离方法，涉及半导体芯片制造技术领域。键合片包括支撑衬底和压电材料衬底，压电材料衬底包括余料衬底和薄膜层，薄膜层位于支撑衬底和余料衬底之间，键合片的分离装置用于将余料衬底与薄膜层分离，键合片的分离装置...

本发明涉及电子器件制造技术领域，具体公开了一种碳化硅键合片分离装置及分离的方法。本发明提供的碳化硅键合片分离装置，设置的支撑槽用于支撑键合片的两端于分离装置上，起到了定位键合片的作用，在键合片受热分裂后，设置于分离槽内的分离件用于使复合...

本发明提供一种复合压电衬底及其制备方法，属于压电衬底制造技术领域。所述复合压电衬底的制备方法包括如下步骤：对压电晶圆A的抛光面进行离子注入后，得到具有离子注入层的压电晶圆A；将压电晶圆A的离子注入层和压电晶圆B的抛光面进行临时键合，得到...

本发明涉及一种溶液法生长碳化硅晶体中溶液流动的观察方法和观察装置，观察方法包括：对硅合金溶液进行保温，使硅合金溶液表面析出碳化硅晶体；通过调整硅合金溶液内温度梯度、施加电磁搅拌、旋转籽晶杆或旋转坩埚来改变硅合金溶液的流动参数，同时采用照...

本发明提供一种改善压电薄膜厚度均匀性的方法及压电衬底与应用，所述方法包括：（1）在硅衬底的抛光表面生长二氧化硅层，得到第一衬底；（2）在单晶衬底的表面进行离子注入，得到含有缺陷层的第二衬底；（3）将第一衬底与第二衬底进行异质键合，得到复...

本发明公开了一种碳化硅气相沉积装置及碳化硅气相沉积方法，属于气相沉积技术领域。碳化硅气相沉积装置包括反应室，内设有反应腔，反应室相对设置有第一端口和第二端口，第一端口和第二端口均与反应腔连通；进气装置，设置于第一端口处，进气装置包括进气...

本发明提供了一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用，所述粘接方法包括如下步骤：采用胶水将碳化硅籽晶粘接在石墨托上，然后进行碳化，得到包括C粘接层的石墨托；其中，所述胶水中包括含硅粉末；将所述包括C粘接层的石墨托依次进行升温和保温，然后经过冷却后...