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本发明提供了一种多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统及方法，所述的多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统包括依次连接的雾化单元与反应单元；雾化单元包括至少一个雾化容器，雾化容器内设置有至少两个雾化模块，至少两个雾化模块分别独立地包括溶液罐与超...
该专利属于青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司授权不得商用。

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