半导体结构及其制备方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供第一导电接触层；在第一导电接触层上表面形成柱状电极层；在柱状电极层侧表面形成沿柱状电极层径向排布的第一环形介电层、第二环形电极层、第二环形介电层；在第二环形介电层侧表面形成至少一个循环单元，循环单元包括沿柱状电极层径向排布的第一环形电极层、第三环形介电层、第三环形电极层、第四环形介电层；去除柱状电极层以及第一环形电极层的顶部，以形成沟槽；在沟槽内形成顶部介电层；形成第二导电接触层，第二导电接触层覆盖第二电极层及顶部介电层。通过形成环形交替设置的电极层，增大了电极层相对面积，以增大电容器的容值。以增大电容器的容值。以增大电容器的容值。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)设计的不断进步，存储单元(CELL)尺寸越来越小。为了使电容器保持足够的电容值以满足数据存储要求，需要从电容高度、形状、介电层材料等方面进行改进。随着集成度的不断增加，电容器的深宽比也不断增加，过高的电容器深宽比一定程度上导致工艺难度增加，并给器件的稳定性带来隐患。
[0003]因此，提供一种工艺简单、深宽比较低、且具有高容值的电容器，是目前需要解决的问题。

技术实现思路

[0004]本公开所要解决的技术问题是降低工艺复杂度，提高电容器电容值，提供一种半导体结构及其制备方法。
[0005]为了解决上述问题，本公开提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供第一导电接触层；在所述第一导电接触层上表面形成柱状电极层；在所述柱状电极层侧表面形成沿所述柱状电极层径向排布的第一环形介电层、第二环形电极层、第二环形介电层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供第一导电接触层；在所述第一导电接触层上表面形成柱状电极层；在所述柱状电极层侧表面形成沿所述柱状电极层径向排布的第一环形介电层、第二环形电极层、第二环形介电层，且所述第二环形电极层与所述第一导电接触层之间绝缘；在所述第二环形介电层侧表面形成至少一个循环单元，所述循环单元包括沿所述柱状电极层径向排布的第一环形电极层、第三环形介电层、第三环形电极层、第四环形介电层，且所述第一环形电极层与所述第一导电接触层接触，所述第三环形电极层与所述第一导电接触层之间绝缘；去除所述柱状电极层以及所述第一环形电极层的顶部，以形成沟槽；在所述沟槽内形成顶部介电层，所述柱状电极层及所述第一环形电极层作为第一电极层，所述第二环形电极层及所述第三环形电极层作为第二电极层，所述第二电极层与所述第一电极层及所述第一环形介电层或所述第二环形介电层构成电容；形成第二导电接触层，所述第二导电接触层覆盖所述第二电极层及所述顶部介电层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述柱状电极层的步骤，包括：在所述第一导电接触层上表面形成第一牺牲层，所述第一牺牲层具有第一过孔，所述第一过孔暴露出部分所述第一导电接触层；在所述第一过孔内形成所述柱状电极层；去除所述第一牺牲层，暴露所述第一导电接触层及所述柱状电极层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述柱状电极层侧表面形成沿所述柱状电极层径向排布的第一环形介电层、第二环形电极层、第二环形介电层的步骤，包括：在所述柱状电极层侧表面及所述第一导电接触层的至少部分上表面形成第一介电材料层；在所述第一介电材料层侧表面形成第二环形电极层，所述第二环形电极层底面与所述第一导电接触层上表面之间具有所述第一介电材料层；在所述第一介电材料层的顶面及所述第二环形电极层侧表面形成第二介电材料层；去除所述第一导电接触层上表面的第二介电材料层及所述第一介电材料层、所述柱状电极层及所述第二环形电极层顶面的第二介电材料层及所述第一介电材料层，保留所述柱状电极层侧面的第一介电材料层作为第一环形介电层，保留所述第二环形电极层侧表面的第二介电材料层作为第二环形介电层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一介电材料层侧表面形成第二环形电极层的步骤，包括：在所述第一介电材料层表面沉积第二电极材料层；去除所述第一介电材料层顶面的第二电极材料，保留所述第一介电材料层侧表面的第二电极材料层，作为第二环形电极层。5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述第二环形介电层侧表面形成至少一个循环单元的步骤，包括：在所述第二环形介电层侧表面形成第一环形电极层，所述第一环形电...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖剑锋，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：