容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用技术

本申请实施例涉及一种容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用；其中，容隔离器的制备方法包括：在衬底上形成依次层叠设置的第一电极板、氧化硅电介质层和氮化硅电介质层；在氮化硅电介质层中形成应力释放槽；在氮化硅电介质层上形成第二电极板；本申请各实施例通过在氮化硅电介质层中形成应力释放槽，从而有利于在后续的测试中或者使用中释放电应力，避免氧化硅电介质层和氮化硅电介质层的界面处发生局部特性变化，进而避免容隔离器出现裂纹，提高了容隔离器的工作可靠性。了容隔离器的工作可靠性。了容隔离器的工作可靠性。

【技术实现步骤摘要】
容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用


[0001]本申请涉及集成电路领域，特别是涉及一种容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用。

技术介绍

[0002]集成电路中的隔离器件常采用耦合的方式实现信号或功率的传输，以实现安全隔离和噪声的消除。现有的集成电路的隔离方式常选用光耦隔离、磁耦隔离、电容隔离。其中，电容隔离采用电容使变化的电荷传输信号或能量，可集成于集成电路上或单独制作成分立器件。电容隔离具有高的抗电磁干扰能力，传输速率快且功耗低。基于集成电路上的电容隔离与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺具很好的兼容性，其应用更加广泛，可提供安全隔离和消除噪声，常用于应用环境恶劣的场合。
[0003]容隔离器包括两个彼此相对的电极板以及介于两电极板之间的电介质层。电介质层作为隔离层，是决定容隔离器的电气性能的重要因素之一。相较于采用纯氧化硅(SiO2)薄膜的电介质层，带有氮化硅(SiN)的复合电介质层的容隔离器具有更高的耐压特性并且满足更高的电压应用，在交流耐压(AC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种容隔离器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成依次层叠设置的第一电极板、氧化硅电介质层和氮化硅电介质层；在所述氮化硅电介质层中形成应力释放槽；在所述氮化硅电介质层上形成第二电极板。2.根据权利要求1所述的容隔离器的制备方法，其特征在于，所述应力释放槽的线宽范围为5.4μm～12μm；和/或，所述应力释放槽的长度范围为大于等于相邻两第一电极板之间的缝隙的长度或大于等于相邻两第二电极板之间的缝隙的长度，且在垂直于衬底平面的方向上，所述应力释放槽位于相邻两第一电极板之间和/或位于相邻两第二电极板之间，所述应力释放槽的长度方向与对应的缝隙的长度方向一致。3.根据权利要求1所述的容隔离器的制备方法，其特征在于，所述在所述氮化硅电介质层中形成应力释放槽，包括：形成贯穿所述氮化硅电介质层的应力释放槽；在垂直于衬底平面的方向上，所述应力释放槽的投影包围所述第一电极板的投影和/或所述第二电极板的投影。4.根据权利要求1所述的容隔离器的制备方法，其特征在于，所述在所述氮化硅电介质层上形成第二电极板包括：在所述氮化硅电介质层上沉积第二电极板材料，所述第二电极板材料填充所述应力释放槽；去除部分所述第二电极板材料，以形成所述第二电极板；其中，填充在所述应力释放槽内的第二电极板材料被去除；所述方法还包括：在所述第二电极板上形成钝化层，所述钝化层填充所述应力释放槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文博，刘琪，李雄伟，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：