电容结构及其制备方法技术

本申请涉及一种电容结构及其制备方法。电容结构的制备方法包括：形成第一金属极板；采用第一射频电源为等离子体提供能量，于第一金属极板的表面形成第一介质层；采用第二射频电源和第三射频电源为等离子体提供能量，于第一介质层远离第一金属极板的表面形成第二介质层；其中，第一射频电源的频率与第三射频电源的频率均大于第二射频电源的频率，第一射频电源的功率与第三射频电源的功率均大于第二射频电源的功率；于第二介质层远离第一介质层的表面形成第二金属极板。相较于常规采用低频功率形成电容介质层的方式，本申请不会对第一金属极板造成损伤，也可以降低电容结构的整体应力，提升电容结构和半导体器件的性能。提升电容结构和半导体器件的性能。提升电容结构和半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
电容结构及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种电容结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体元器件的研究中，电容等在半导体器件中比较重要的元件的相关性能受到了广泛关注。常规制备电容的工艺中，多采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）工艺制备电容介质层。
[0003]然而常规方法中在金属电极板上形成电容介质层时常采用LF power (低频功率)，LF power形成的电容介质层会对金属电极板顶部造成损伤，在金属电极板的顶部产生crack（裂纹）和膜层peeling（剥落），使得电容介质层与金属电极板之间的应力急剧增加，造成金属电容的整体应力增大，较大的应力问题会削弱电容介质层原有的绝缘、钝化效果，直接影响到半导体器件的性能。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题提供一种电容结构及其制备方法。
[0005]为了解决上述问题，第一方面，申请提供了一种电容结构的制备方法，包括：形成第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容结构的制备方法，其特征在于，包括：形成第一金属极板；采用第一射频电源为等离子体提供能量，于所述第一金属极板的表面形成第一介质层；采用第二射频电源和第三射频电源为等离子体提供能量，于所述第一介质层远离所述第一金属极板的表面形成第二介质层；其中，所述第一射频电源的频率与所述第三射频电源的频率均大于所述第二射频电源的频率，所述第一射频电源的功率与所述第三射频电源的功率均大于所述第二射频电源的功率；于所述第二介质层远离所述第一介质层的表面形成第二金属极板。2.根据权利要求1所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述第一射频电源的频率为12兆赫兹~14兆赫兹；所述第二射频电源的频率为0 ~350千赫兹，所述第三射频电源的频率为12兆赫兹~14兆赫兹。3.根据权利要求2所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述第二射频电源的功率与所述第一射频电源的功率的比例为1:15~1:6，所述第二射频电源的功率与所述第三射频电源的功率的比例为1:15~1:6。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：柯才，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：