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本申请涉及一种电容结构及其制备方法。电容结构的制备方法包括：形成第一金属极板；采用第一射频电源为等离子体提供能量，于第一金属极板的表面形成第一介质层；采用第二射频电源和第三射频电源为等离子体提供能量，于第一介质层远离第一金属极板的表面形成第...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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