一种平板玻璃用离子束形成模块及离子植入系统及方法技术方案

本发明专利技术提供一种平板玻璃用离子束形成模块及离子植入系统及方法，其中平板玻璃用离子束形成模块包括有依次相连接的离子源组合单元、离子束质量和电荷比值分析磁场单元、拓展磁铁组合单元和准直磁铁组合单元；离子源组合单元中包括有并排设置的若干个离子源装置，离子源装置的输入端连接有供能供料装置；拓展磁铁组合单元中包括有若干组拓展磁铁，每组拓展磁铁的位置均分别与一个离子源装置产生的离子束的两侧相对应；准直磁铁组合单元位于若干个离子源装置产生的若干条离子束经离子束质量和电荷比值分析磁场单元偏转后的交汇处。本方案获得的平行带状离子束具有极高的有效高度，且离子束的束流宽度较小、离子密度较高且均匀度较好。均匀度较好。均匀度较好。

【技术实现步骤摘要】
一种平板玻璃用离子束形成模块及离子植入系统及方法


[0001]本专利技术属于半导体器件制造
，具体涉及一种平板玻璃用离子束形成模块及离子植入系统及方法。

技术介绍

[0002]离子植入是指将离子束射向固体材料(靶片)，并最终停留在该固体材料表面或内部的处理工艺。在目前的电子工业中，离子植入已成为半导体工艺及微电子工艺中的一项重要的掺杂技术。例如对于液晶显示屏中采用的薄膜晶体管(Thinfilmtransistors)阵列基板，其需要将平板玻璃作为基板，在其上进行离子植入。
[0003]目前液晶显示屏中采用的薄膜晶体管阵列基板的发展趋势之一为采用金属氧化物薄膜三极管(MetalOxideThinfilmtransistors)例如IGZO(铟镓锌氧化物)薄膜制成。但纯IGZO薄膜的薄层电阻(SheetResistance)较高，其属于半导体的范围；进行离子植入(例如硼离子)后，薄层电阻可大幅降低至导体的范围，从而获得较高的电子迁移率。但所需的离子植入剂量大，例如为10
15
/cm2，并且采用金属氧化物技术的薄膜三极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平板玻璃用离子束形成模块，其特征在于，包括有依次相连接的离子源组合单元、离子束质量和电荷比值分析磁场单元、拓展磁铁组合单元和准直磁铁组合单元；离子源组合单元用于产生离子束；离子源组合单元中包括有并排设置的若干个离子源装置，离子源装置的输入端连接有供能供料装置，供能供料装置为离子源装置提供所需的电压、气体和/或真空度；离子束质量和电荷比值分析磁场单元用于产生磁场、偏转离子束，并筛除离子束中的杂质；拓展磁铁组合单元用于对离子束在高度方向上进行拓展拉伸；拓展磁铁组合单元中包括有若干组拓展磁铁，每组拓展磁铁的位置均分别与一个离子源装置产生的离子束的两侧相对应；准直磁铁组合单元用于对离子束进行准直或平行拉伸，使离子束中离子的行进方向均相互平行；准直磁铁组合单元位于若干个离子源装置产生的若干条离子束经离子束质量和电荷比值分析磁场单元偏转后的交汇处。2.如权利要求1所述的平板玻璃用离子束形成模块，其特征在于，在离子源装置的输出侧设置有离子引出电极组，离子引出电极组上设有电极平移机构及控制器，用于调整离子引出电极组与离子源装置的输出端之间的距离。3.如权利要求1所述的平板玻璃用离子束形成模块，其特征在于，在离子束质量和电荷比值分析磁场单元与拓展磁铁组合单元之间设有离子源门阀；离子源门阀包括有门阀腔，门阀腔的形状为沿离子束行进方向截面高度逐渐增加；门阀腔的上方密封连接有用于容纳阀板的阀板腔；阀板腔上方设置有气缸，气缸的活塞杆末端朝下、穿过阀板腔顶壁后与阀板相连接。4.如权利要求3所述的平板玻璃用离子束形成模块，其特征在于，阀板在朝向离子束质量和电荷比值分析磁场单元的一侧面上设置有离子接收板。5.如权利要求1所述的平板玻璃用离子束形成模块，其特征在于，在拓展磁铁朝向离子束行进方向下游的一侧延伸设置有拓展挡板。6.如权利要求1所述的平板玻璃用离子束形成模块，其特征在于，准直磁铁组合单元内部空间呈两端宽、中间窄的形状，其中间位置设置有准直磁铁组，准直磁铁组位于离子束的两侧。7.如权利要求6所述的平板玻璃用离子束形成模块，其特征在于，在准直磁铁组合单元内部空间的后方设置有束流检测装置，束流检测装置的工作面的高度大于离子束，束流检测装置设置在机械臂上，该机械臂用于移动束流检测装置的工作面位置以接收离子束或移开。8.如权利要求1
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7中任意一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维，
申请(专利权)人：浙江鑫钰新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：