【技术实现步骤摘要】
试样加工装置和试样加工方法
[0001]本专利技术涉及试样加工装置和试样加工方法。
技术介绍
[0002]作为使用离子束对试样进行加工的试样加工装置,已知用于对试样的截面进行加工的截面抛光机(Cross Section Polisher(注册商标))、用于制作薄膜试样的离子切片机(Ion Slicer(注册商标))等。
[0003]在这样的试样加工装置中,作为离子源,使用了潘宁(Penning)型离子源。例如,专利文献1公开了包含筒状的阳极、相对的2个阴极、以及引出电极的潘宁型离子源。在潘宁型离子源中,对阳极与引出电极之间施加加速电压,对阳极与阴极之间施加放电电压。
[0004]在专利文献1的离子源中,当对筒状的阳极所形成的空间(离子化室)供应了氩气时,氩气会与从阴极释放出的电子进行碰撞而离子化。所产生的离子由施加到阳极与引出电极之间的加速电压进行加速,从设置于阴极的电极孔作为离子束释放出。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:特开2020
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种试样加工装置,是对试样照射离子束来加工所述试样的试样加工装置,其特征在于,包含:阳极;阴极;引出电极,其引出离子,所述离子是从所述阴极释放出的电子与气体碰撞而生成的;以及聚焦电极,其配置在所述阴极与所述引出电极之间,通过使施加到所述聚焦电极的聚焦电压变化来控制所述离子束的空间轮廓。2.根据权利要求1所述的试样加工装置,其中,包含:聚焦电源,其对所述聚焦电极施加聚焦电压;以及控制部,其控制所述聚焦电源。3.根据权利要求2所述的试样加工装置,其中,所述控制部接受目标加工区域的指定,基于所指定的所述目标加工区域来控制所述聚焦电源。4.根据权利要求3所述的试样加工装置,其中,包含使所述试样摆动的摆动机构,所述控制部基于所指定的所述目标加工区域来控制所述摆动机构。5.一种试样加工方法,是...
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