一种物理气相沉积镀膜用靶材及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供了一种物理气相沉积镀膜用靶材及其制备方法与应用，所述物理气相沉积镀膜用靶材包括靶面上设置有至少一个凹槽的基体靶材，每个所述凹槽内嵌入有镶嵌靶材；所述基体靶材与镶嵌靶材中的一种为石墨靶材。本发明专利技术提供的物理气相沉积镀膜用靶材的基体靶材靶面上可以镶嵌不同形状、尺寸与数量的镶嵌靶材，实现靶材成分的多元化；所述镶嵌靶材通过机械的方式镶嵌于所述基体靶材靶面上的凹槽中，使物理气相沉积镀膜用靶材的结构更加稳定，避免了分层与裂纹等缺陷的产生；所述基体靶材靶面上镶嵌靶材的面积与基体靶材的靶面面积之比可以根据实际生产需要进行调控，从而制备出具有不同成分占比的碳基涂层。制备出具有不同成分占比的碳基涂层。制备出具有不同成分占比的碳基涂层。

【技术实现步骤摘要】
一种物理气相沉积镀膜用靶材及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于物理气相沉积镀膜领域，涉及一种物理气相沉积镀膜用靶材，尤其涉及一种物理气相沉积镀膜用靶材及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]工业上利用PECVD的方法制备碳化物涂层与碳氮化物涂层，如制备TiC和TiCN时，常用乙炔与甲烷等含碳气体源提供碳，利用多弧离子镀或磁控溅射的方法提供金属元素。但是，利用这种方法制备碳化物涂层与碳氮化物涂层时，存在以下问题：1)基体架会被污染而不导电，因此在整个镀膜过程中，成膜离子能量会随沉积时间的延长而降低，导致涂层不均匀；2)多弧阴极或磁控阴极靶面会被含碳气体“毒化”，靶材导电性能下降，导致沉积过程不稳定；3)含碳气体离化或激发后会沉积污染真空室，形成的灰尘会掉落在基体表面，影响涂层表面光洁度和涂层性能。
[0003]第二种方法是直接采用金属+石墨以等静压方式进行制备复合靶材，再经过复合靶材的烧蚀、蒸发后沉积在到基体上制备碳基涂层，该技术由于金属和石墨的热膨胀系数不同，熔点差别大，制备出来的金属+石墨复合靶内应力会比较大，容易产生裂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积镀膜用靶材，其特征在于，所述物理气相沉积镀膜用靶材包括靶面上设置有至少一个凹槽的基体靶材，每个所述凹槽内嵌入有镶嵌靶材；所述基体靶材与镶嵌靶材中的一种为石墨靶材。2.根据权利要求1所述的物理气相沉积镀膜用靶材，其特征在于，所述镶嵌靶材采用过盈配合、螺纹配合或插销配合的方式中的任意一种或至少两种的组合嵌入所述基体靶材的凹槽内。3.根据权利要求1或2所述的物理气相沉积镀膜用靶材，其特征在于，所述镶嵌靶材的形状包括圆柱、圆台、圆锥、多边形棱柱中的任意一种或至少两种的组合，所述凹槽的形状与所述镶嵌靶材的形状相同。4.根据权利要求1～3任一项所述的物理气相沉积镀膜用靶材，其特征在于，所有所述凹槽呈环状均匀设置于所述基体靶材的靶面上；优选地，所述凹槽的深度为所述基体靶材高度的5～80％；优选地，所述基体靶材的靶面上所有所述镶嵌靶材的面积之和为基体靶材的靶面面积的1～70％。5.根据权利要求1～4任一项所述的物理气相沉积镀膜用靶材，其特征在于，所述基体靶材为石墨靶材，所述镶嵌靶材包括金属靶材和/或非金属靶材。6.根据权利要求1～4任一项所述的物理气相沉积镀膜用靶材，其特征在于，所述基体靶材包括金属靶材和/或非金属靶材，...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫伟铭，胡健，陈成，屈建国，
申请(专利权)人：深圳市金洲精工科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：