沉积系统及方法技术方案

本申请涉及一种沉积系统及方法。在本申请的一个实施例中，沉积系统包括：工艺腔；喷淋头，其位于所述工艺腔内；以及气箱，其通过气体管道连接到所述喷淋头且包括切换装置；其中所述气箱包含第一源气体和第二源气体，所述切换装置可操作以在所述工艺腔中执行第一沉积工艺期间将所述第一源气体提供至所述气体管道，并在所述工艺腔中执行第二沉积工艺期间将所述第二源气体提供至所述气体管道，所述第二沉积工艺与所述第一沉积工艺不同。积工艺与所述第一沉积工艺不同。积工艺与所述第一沉积工艺不同。

【技术实现步骤摘要】
沉积系统及方法


[0001]本申请大体上涉及半导体加工设备领域，且更具体来说，涉及沉积系统及方法。

技术介绍

[0002]半导体制程可包含薄膜沉积工艺，例如原子层沉积(ALD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等，用以在晶圆或基材上形成各种薄膜以制备半导体装置。ALD工艺制成的薄膜可以具有较高的底部覆盖率，但是要得到所需的膜厚需要较长的时间，因此ALD工艺的单位时间出片量(WPH)较低。PECVD工艺可以实现高的WPH，但是制成的薄膜具有较低的底部覆盖率。单一的沉积工艺可能不能同时满足对于成膜质量(例如底部覆盖率)和产能(例如WPH)的特定生产需求。
[0003]然而，当前的沉积系统只能完成单一沉积工艺。因此，需要改进的沉积系统及方法来同时满足对于成膜质量和产能的需求。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种沉积系统，其允许在同一工艺腔内执行多种不同的沉积工艺，从而可以在保证成膜质量的同时简化工艺步骤并提高产能。
[0005]根据本申请的一些实施例，一种沉积系统可包括：工艺腔；喷淋头，其位于所述工艺腔内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积系统，其包括：工艺腔；喷淋头，其位于所述工艺腔内；以及气箱，其通过气体管道连接到所述喷淋头且包括切换装置；其中所述气箱包含第一源气体和第二源气体，所述切换装置可操作以在所述工艺腔中执行第一沉积工艺期间将所述第一源气体提供至所述气体管道，并在所述工艺腔中执行第二沉积工艺期间将所述第二源气体提供至所述气体管道，所述第二沉积工艺与所述第一沉积工艺不同。2.根据权利要求1所述的沉积系统，其还包括加热装置，其可操作以对所述工艺腔中的晶圆进行加热，以使所述晶圆的表面在所述第一沉积工艺期间具有第一温度，且在所述第二沉积工艺期间具有第二温度。3.根据权利要求2所述的沉积系统，其中所述第一温度与所述第二温度相同或相近。4.根据权利要求1所述的沉积系统，其还包括射频装置，其可操作以在所述第一沉积工艺期间将第一射频功率提供至所述喷淋头，并在所述第二沉积工艺期间将第二射频功率提供至所述喷淋头。5.根据权利要求4所述的沉积系统，其中所述第一射频功率不同于所述第二射频功率。6.根据权利要求4所述的沉积系统，其中所述第一射频功率与所述第二射频功率相同。7.根据权利要求1所述的沉积系统，其中所述第一源气体不同于所述第二源气体。8.根据权利要求1所述的沉积系统，其中所述第一源气体与所述第二源气体相同。9.根据权利要求1所述的沉积系统，其中所述第一沉积工艺或所述第二沉积工艺为选自原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺、等离子体增强原子层沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、热原子层沉积工艺、次常压化学气相沉积工艺中的一种工艺。10.一种用于根据权利要求1所述的沉积系统的沉积方法，其包括：将晶圆提供至所述工艺腔内；在所述工艺腔内对所述晶圆执行所述第一沉积工艺；在所述第一沉积工艺期间，控制所述切换装置将所述气箱中的所述第一源气体提供至所述气体管道...

【专利技术属性】
技术研发人员：田云龙，李晶，野沢俊久，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：