一种半导体设备喷淋头及等离子体装置制造方法及图纸

本申请涉及一种半导体设备喷淋头，该喷淋头包括：内侧具有阶梯式界面的外环；外侧具有阶梯式界面的中心部；其中，所述外环的阶梯式界面与所述中心部的阶梯式界面匹配搭接，配合形成一个中部可向下凹陷形变的多片式喷淋头，该多片式喷淋头通过连接部与安装基座的下表面连接。本申请中的喷淋头可以向下凹陷形变，并与中心位置发生了形变的安装基座相配合，大大地降低该喷淋头被形变的安装基座应力顶碎的几率。的几率。的几率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备喷淋头及等离子体装置


[0001]本申请涉及半导体设备
，具体涉及一种半导体设备喷淋头及等离子体装置。

技术介绍

[0002]现有的等离子体装置一般包括等离子体反应腔、上电极组件和下电极组件，上电极组件一般包括安装基座和设置于安装基座下表面的喷淋头。安装基座和喷淋头的热膨胀系数不同，喷淋头的材质一般为Si，安装基座的材质一般为Al，Al的热膨胀系数约为Si的10倍。
[0003]在现有的半导体制造工艺中，喷淋头和安装基座都会暴露于等离子体环境之中，而等离子体环境中温度的持续升高可能会使安装基座产生向下作用的应力，进而压迫并顶碎喷淋头。
[0004]具体地，在等离子环境中，喷淋头和安装基座的温度会持续升高，由于二者的热膨胀系数不同，安装基座的尺寸变化大于喷淋头的尺寸变化，另外，安装基座的中心位置会向下突出，使安装基座的中心位置与喷淋头的接触要好于其边缘位置与喷淋头的接触，安装基座的中心位置与喷淋头的导热效果要好于其边缘位置与喷淋头的导热效果，进而增加了安装基座的中心位置的形变程度，从而使安装基座的中心位置顶碎喷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备喷淋头，其特征在于，包括：内侧具有阶梯式界面的外环；外侧具有阶梯式界面的中心部；其中，所述外环的阶梯式界面与所述中心部的阶梯式界面匹配搭接，配合形成一个中部可向下凹陷形变的多片式喷淋头，该多片式喷淋头通过连接部与安装基座的下表面连接。2.根据权利要求1所述的半导体设备喷淋头，其特征在于，所述中心部包括：若干内侧和外侧均具有阶梯式界面的内环以及外侧具有阶梯式界面的中心盘，若干所述内环均位于所述外环与所述中心盘之间；其中，至少一个所述内环的外侧的阶梯式界面与所述外环的内侧的阶梯式界面匹配搭接，所述中心盘的外侧的阶梯式界面与至少一个所述内环的内侧的阶梯式界面匹配搭接；所述外环、所述中心盘和若干所述内环配合形成一个中部可向下凹陷形变的多片式喷淋头。3.根据权利要求2所述的半导体设备喷淋头，其特征在于，所述内环的数量为一个；所述内环的外侧的阶梯式界面与所述外环的阶梯式界面匹配搭接，所述内环的内侧的阶梯式界面与所述中心盘的阶梯式界面匹配搭接。4.根据权利要求2所述的半导体设备喷淋头，其特征在于，所述内环的数量为至少两个；在相邻的两个所述内环中，靠近所述中心盘的所述内环的外侧的阶梯式界面与靠近所述外环的所述内环的内侧的阶梯式界面匹配搭接。5.根据权利要求2所述的半导体设备喷淋头，其特征在于，所述外环与所述安装基座之间、所述内环与所述安装基座之间和/或所述中心盘与所述安装基座之间设有密封圈。6.根据权利要求5所述的半导体设备喷淋头，其特征在于，所述外环与所述安装基座之间设置的密封圈的数量为至少两个；和/或所述内环与所述安装基座之间设置的密封圈的数量为至少两个。7.根据权利要求2所述的半导体设备喷淋头，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶如彬，吴昊，张馨月，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：