深沟槽隔离光电二极管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种深沟槽隔离光电二极管的制造方法，提供衬底，在衬底上形成N型外延层以及位于N型外延层上的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层，使得其下方的刻蚀阻挡层裸露，光刻胶层上打开的区域包括第一、二区域，每四个第一区域沿第二区域呈圆周分布，第二区域与其周围第二区域的距离为第一设计值；刻蚀裸露的刻蚀阻挡层及其下方的N型外延层形成第一凹槽，之后在第一凹槽上形成侧壁保护层，之后刻蚀第一凹槽的底部，刻蚀N型外延层形成第二凹槽；在第二凹槽上形成本征外延层，之后在本征外延层上形成第一P型外延层至侧壁保护层的底部。本发明专利技术减少各向同性刻蚀的量，减小N型外延层的损耗。减小N型外延层的损耗。减小N型外延层的损耗。

【技术实现步骤摘要】
深沟槽隔离光电二极管的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种深沟槽隔离光电二极管的制造方法。

技术介绍

[0002]传统的光电二极管是由光刻及IMP(离子注入)工艺形成光电二极管(photo diode)，但这会受到光刻胶的深宽比以及IMP注入深度和浓度的限制，使得光电二极管的感光度性能无法得到进一步的提升。
[0003]为纵向拓展P光电二极管的深度，目前采取的办法是通过外延的方式形成深层的光电二极管。通过在硅衬底上生长N型外延，再经过光刻与刻蚀形成深沟槽结构，再依次生长本征、P型外延将深沟槽封口和填平，最后通过传统CMOS工艺形成CMOS图像传感器。
[0004]请参阅图1，目前所采取的深沟槽和外延方案在进行完各向同性刻蚀后A处的缺陷严重，后续的清洗步骤很难完全清洗干净。并且会损耗N型外延层体积，从而降低了光电二极管的满阱容量。
[0005]为解决上述问题，需要提出一种新型的深沟槽隔离光电二极管的制造方法。

技术实现思路

[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成N型外延层以及位于所述N型外延层上的刻蚀阻挡层；步骤二、在所述刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层，使得其下方的刻蚀阻挡层裸露，所述光刻胶层上打开的区域包括第一、二区域，每四个所述第一区域沿所述第二区域呈圆周分布，所述第二区域与其周围所述第二区域的距离为第一设计值；步骤三、刻蚀裸露的所述刻蚀阻挡层及其下方的所述N型外延层形成第一凹槽，之后在所述第一凹槽上形成侧壁保护层，之后利用各向异性刻蚀的方法刻蚀所述第一凹槽的底部，再利用各向同性刻蚀的方法刻蚀所述N型外延层形成第二凹槽；步骤四、在所述第二凹槽上形成本征外延层，之后在所述本征外延层上形成第一P型外延层至所述侧壁保护层的底部；步骤五、去除侧壁保护层和所述刻蚀阻挡层，在所述第一外延层上形成覆盖所述N型外延层的第二P型外延层，之后研磨所述第二P型外延层至所述N型外延层的上方。2.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的深沟槽隔离光电二极管的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或二氧化硅。4.根据权利要求1所述的深沟槽隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德鹏，范晓，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：