降低硅片吸杂退火麻点不良的方法技术

本发明专利技术提供了一种降低硅片吸杂退火麻点不良的方法，包括以下步骤：对待处理硅片进行超声波清洗，以去除待处理硅片上的硅粉，得到第一硅片中间体；对第一硅片中间体进行第一酸处理，以去除第一硅片中间体上的金属杂质和有机脏污，得到第二硅片中间体；对第二硅片中间体进行制绒，以在第二硅片中间体的表面形成金字塔绒面，得到第三硅片中间体；对第三硅片中间体进行第二酸处理，以去除第三硅片中间体上的金属杂质。本发明专利技术降低了硅片在吸杂退火后麻点的不良比例以及提高后续制备的太阳电池的转换效率。转换效率。转换效率。

【技术实现步骤摘要】
降低硅片吸杂退火麻点不良的方法


[0001]本专利技术涉及太阳电池
，特别是涉及一种降低硅片吸杂退火麻点不良的方法。

技术介绍

[0002]异质结太阳电池，又称HJT电池(Hereto
‑
junction with Intrinsic Thin
‑
layer)，是一种带本征薄层的异质结太阳电池，于1992年首次制备成功，转换效率达到18.1％。随着工艺方法改进和新材料的引入，效率不断突破新高，理论值也在不断刷新记录。
[0003]在异质结太阳电池的生产过程中，在对N型硅片进行吸杂退火后，硅片表面频繁出现麻点异常偏多的问题。由于现有HJT制备工艺未对麻点异常进行有效处理，导致吸杂退火后的硅片麻点较多，且严重污染下一道工序，进而降低后续制备的异质结太阳电池的转换效率。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种降低硅片吸杂退火麻点不良的方法，以降低硅片在吸杂退火后麻点的不良比例以及提高后续制备的太阳电池的转换效率。
[0005]本专利技术提供了一种降低硅片吸杂退火麻点不良的方法，包括以下步骤：
[0006]对待处理硅片进行超声波清洗，以去除所述待处理硅片上的硅粉，得到第一硅片中间体；
[0007]对所述第一硅片中间体进行第一酸处理，以去除所述第一硅片中间体上的金属杂质和有机脏污，得到第二硅片中间体；
[0008]对所述第二硅片中间体进行制绒，以在所述第二硅片中间体的表面形成金字塔绒面，得到第三硅片中间体；以及
[0009]对所述第三硅片中间体进行第二酸处理，以去除所述第三硅片中间体上的金属杂质。
[0010]在其中一些实施例中，所述第一酸处理包括以下步骤：
[0011]采用含有盐酸和双氧水的第一处理液对所述第一硅片中间体进行第一酸处理。
[0012]在其中一些实施例中，所述方法包括以下(1)～(3)中的至少一项：
[0013](1)所述第一处理液的制备方法包括以下步骤：
[0014]将质量分数为30％～40％的盐酸、质量分数为35％～40％的双氧水和水以(5～7)：(10～15)：(800～1000)的体积比进行混合；
[0015](2)所述第一酸处理的温度为23～26℃；
[0016](3)所述第一酸处理的时间为160s～220s。
[0017]在其中一些实施例中，所述制绒包括以下步骤：
[0018]采用含有碱性溶液和制绒成核添加剂的制绒液对所述第二硅片中间体进行制绒。
[0019]在其中一些实施例中，所述方法包括以下(4)～(5)中的至少一项：
[0020](4)所述碱性溶液包括氢氧化钾溶液；
[0021](5)所述制绒成核添加剂包括成核剂、硅酸钠、乙酸钠、表面活性剂以及润湿剂，且在所述制绒成核添加剂中，所述成核剂的质量分数为10.5％～12％、硅酸钠的质量分数为2.0％～4.0％、乙酸钠的质量分数为0.5％～1.2％、所述表面活性剂的质量分数为2.0％～6.0％、所述润湿剂的质量分数为3.0％～8.0％。
[0022]在其中一些实施例中，所述方法包括以下(6)～(7)中的至少一项：
[0023](6)所述制绒液的制备方法包括以下步骤：
[0024]将质量分数为35％～45％的所述碱性溶液、质量分数为10％～15％的所述制绒成核添加剂和水以(2～4)：1：(400～450)的体积比进行混合；
[0025](7)所述制绒的时间为300s～350s。
[0026]在其中一些实施例中，所述金字塔绒面的金字塔结构的底面直径为0.7μm～1.5μm。
[0027]在其中一些实施例中，所述超声波清洗包括以下步骤：
[0028]将所述待处理硅片放置在清洗处理液中，在超声条件下对所述待处理硅片进行清洗；
[0029]其中，所述清洗处理液包括亲水润湿剂，所述亲水润湿剂包括聚氧乙烯。
[0030]在其中一些实施例中，所述第二酸处理包括以下步骤：
[0031]采用含有酸性试剂和臭氧的第二处理液对所述第三硅片中间体进行第二酸处理；
[0032]其中，所述第二处理液中所述臭氧的浓度为40ppm～50ppm。
[0033]在其中一些实施例中，在所述第二酸处理之后，所述方法还包括对所述第三硅片中间体进行钝化的步骤。
[0034]本专利技术采用全新的吸杂退火预处理工艺方法，即去硅粉+第一酸处理+制绒+第二酸处理，而非现有的简单的粗抛工艺，有效的去除待处理硅片表面上的金属颗粒和有害杂质，同时对未正式生产的硅片进行刻蚀减薄，避免了硅片质量和重量的下降，且硅片上的微金字塔绒面增加了磷沉积的面积，为退火吸杂做好充分的条件。本专利技术能够降低硅片在吸杂退火后麻点的不良比例以及提高由所述硅片制备的太阳电池的转换效率。
附图说明
[0035]图1为本专利技术提供的降低硅片吸杂退火麻点不良的流程图；
[0036]图2为本专利技术实施例1中的硅片在吸杂退火处理后麻点的不良比例和对比例1中的硅片在吸杂退火处理后麻点的不良比例图；
[0037]图3为本专利技术实施例1中的硅片制作成的太阳电池的转换效率和对比例1中的硅片制作成的太阳电池的转换效率图。
具体实施方式
[0038]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻
全面。
[0039]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0040]请参阅图1，本专利技术提供一种降低硅片吸杂退火麻点不良的方法，包括以下步骤：
[0041]步骤S11、对待处理硅片进行超声波清洗，以去除所述待处理硅片上的硅粉，得到第一硅片中间体。
[0042]具体地，将质量分数为15％～30％的清洗剂和水以(10～20)：(800～1000)的体积比进行混合，得到清洗处理液，再将所述清洗处理液装入到超声波清洗装置中的清洗槽中，并将所述待处理硅片放置在所述清洗槽中，以使所述清洗处理液浸没所述待处理硅片，然后启动所述超声波清洗装置，以使所述超声波清洗装置发出的超声波和所述清洗处理液共同清洗所述待处理硅片，以去除所述待处理硅片上的硅粉，得到所述第一硅片中间体。
[0043]在一实施例中，所述清洗剂包括亲水润湿剂。其中，所述亲水润湿剂包括聚氧乙烯。其中，所述亲水润湿剂使所述待处理硅片与水充分接触湿润，以消除所述待处理硅片的界面能，使水进入所述待处理硅片表面的孔隙内，从而将所述待处理硅片孔隙内的硅粉去除。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低硅片吸杂退火麻点不良的方法，其特征在于，包括以下步骤：对待处理硅片进行超声波清洗，以去除所述待处理硅片上的硅粉，得到第一硅片中间体；对所述第一硅片中间体进行第一酸处理，以去除所述第一硅片中间体上的金属杂质和有机脏污，得到第二硅片中间体；对所述第二硅片中间体进行制绒，以在所述第二硅片中间体的表面形成金字塔绒面，得到第三硅片中间体；以及对所述第三硅片中间体进行第二酸处理，以去除所述第三硅片中间体上的金属杂质。2.如权利要求1所述的降低硅片吸杂退火麻点不良的方法，其特征在于，所述第一酸处理包括以下步骤：采用含有盐酸和双氧水的第一处理液对所述第一硅片中间体进行第一酸处理。3.如权利要求2所述的降低硅片吸杂退火麻点不良的方法，其特征在于，所述方法包括以下(1)～(3)中的至少一项：(1)所述第一处理液的制备方法包括以下步骤：将质量分数为30％～40％的盐酸、质量分数为35％～40％的双氧水和水以(5～7)：(10～15)：(800～1000)的体积比进行混合；(2)所述第一酸处理的温度为23～26℃；(3)所述第一酸处理的时间为160s～220s。4.如权利要求1所述的降低硅片吸杂退火麻点不良的方法，其特征在于，所述制绒包括以下步骤：采用含有碱性溶液和制绒成核添加剂的制绒液对所述第二硅片中间体进行制绒。5.如权利要求4所述的降低硅片吸杂退火麻点不良的方法，其特征在于，所述方法包括以下(4)～(5)中的至少一项：(4)所述碱性溶液包括氢氧化钾溶液；(5)所述制绒成核添加剂包括成核剂、硅酸钠、乙酸钠、表面活性剂以及润湿剂，且在所述制绒成...

【专利技术属性】
技术研发人员：高永强，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：