存储器子系统中的存储器单元的多阶段擦除操作技术方案

本公开涉及存储器子系统中的存储器单元的多阶段擦除操作。存储器装置中的控制逻辑执行编程操作以将一组存储器单元中的存储器单元编程到编程电平。执行第一擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第一阈值电压电平，所述第一擦除子操作包含将具有第一擦除电压电平的第一擦除脉冲施加到所述存储器单元。执行第二擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第二阈值电压电平，所述第二擦除子操作包含将具有第二擦除电压电平的第二擦除脉冲施加到所述存储器单元，其中所述第一擦除脉冲的所述第一擦除电压电平低于所述第二擦除脉冲的所述第二擦除电压电平。擦除电压电平。擦除电压电平。

【技术实现步骤摘要】
存储器子系统中的存储器单元的多阶段擦除操作


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及存储器子系统中的存储器单元的多阶段擦除操作。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。所述存储器装置可例如为非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据以及从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]本公开的一方面涉及一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括一组存储器单元；和控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下各项的操作：执行编程操作以将所述一组存储器单元中的存储器单元编程到编程电平；执行第一擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第一阈值电压电平，所述第一擦除子操作包含将具有第一擦除电压电平的第一擦除脉冲施加到所述存储器单元；以及执行第二擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第二阈值电压电平，所述第二擦除子操作包含将具有第二擦除电压电平的第二擦除脉冲施加到所述存储器单元，其中所述第一擦除脉冲的所述第一擦除电压电平低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括一组存储器单元；和控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下各项的操作：执行编程操作以将所述一组存储器单元中的存储器单元编程到编程电平；执行第一擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第一阈值电压电平，所述第一擦除子操作包含将具有第一擦除电压电平的第一擦除脉冲施加到所述存储器单元；以及执行第二擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第二阈值电压电平，所述第二擦除子操作包含将具有第二擦除电压电平的第二擦除脉冲施加到所述存储器单元，其中所述第一擦除脉冲的所述第一擦除电压电平低于所述第二擦除脉冲的所述第二擦除电压电平。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中响应于擦除包括所述存储器单元的存储器块的命令而执行所述第一擦除子操作。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中响应于对所述存储器单元进行编程的命令而执行所述第二擦除子操作。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一阈值电压电平高于所述第二阈值电压电平。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在执行所述编程操作之后，所述存储器单元具有对应于所述编程电平的阈值电压。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一阈值电压电平在大约0V到大约1.0V的范围内。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二阈值电压电平在大约
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3.0V到大约
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2.0V的范围内。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一擦除子操作包括预编程操作。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一擦除电压电平在大约12.0V到大约16.0V的范围内，且其中所述第二擦除电压电平在大约16.0V到大约22.0V的范围内。10.根据权利要求1所述的存储器装置，所述操作另外包括在执行所述第二擦除子操作之后执行另一编程操作。11.根据权利要求1所述的存储器装置，所述操作另外包括在执行所述第一擦除子操作之后执行无用单元收集过程，其中所述无用单元收集过程将所述存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢景煌，Y，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：