一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法技术

本发明专利技术属于读写方法技术领域，特别涉及一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法，所述读写方法包括有将需要存储的数据，前后加上特定的帧头($)、帧尾(*)以及异或校验，在存储时，先遍历系统设置存储单元，找到值全为0xff的起始地址，从该地址开始写入，如果该地址超过系统设置的存储单元地址，那么擦除整个块，再从头写入等。本发明专利技术达到能够最大化的使用flash的块单元，仅在整个块写满后才擦除，达到磨损均衡的效果；即使在写入过程中外部断电，也仅仅丢失当前一次的写入结果，之前的结果仍然保留，达到断电保存的效果；且在系统设置的存储单元大小一定时，能够大幅度的提高使用寿命。用寿命。用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法


[0001]本专利技术属于读写方法
，特别涉及一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法。

技术介绍

[0002]在一些嵌入式产品中，经常需要频繁对运行参数或配置参数进行存储与读取，但通常flash的读写次数仅为10万次，这对于产品运行寿命来说是一个很大的瓶颈；
[0003]传统的嵌入式产品中，对参数存储时，一般不同的参数是定义不同的基地址，在该地址进行存取操作，在存储时需要对该flash块进行擦除后再写入，但一般的flash寿命仅为10万次，假如每分钟需要对该参数进行读写，那么单块的flash可工作的时间为100000/(60*24)＝69天；
[0004]一般的读写均衡算法为，对每一块的读写次数进行存储，达到一定次数时(例如设置为9万次)，切换到下一块，如图2所示。但该传统方式的弊端在于，不同颗粒间的寿命可能不一致，因而导致该数据的丢失；当该存储值小于块的大小时，浪费存储空间；写入过程如果因外因断电，也会造成数据丢失，因此急需研发一种磨损均衡、能够大幅度的提高使用寿命、断电保存的应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法。

技术实现思路

[0005](一)要解决的技术问题
[0006]为了克服上述传统方式的存在着不同颗粒间的寿命可能不一致，因而导致该数据的丢失；当该存储值小于块的大小时，浪费存储空间；写入过程如果因外因断电，也会造成数据丢失的缺陷，本专利技术提供一种磨损均衡、能够大幅度的提高使用寿命、断电保存的应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法。
[0007](二)技术方案
[0008]本专利技术通过如下技术方案实现：本专利技术提出了一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法，所述读写方法具体步骤如下：
[0009]1)开始，从存储地址开始读取5个字节数，前后加上特定的帧头($)、帧尾(*)以及异或校验；
[0010]2)判断5字节是否全为oxff；
[0011]若不是全为oxff，包括以下步骤：
[0012]重新读地址一次，判断地址是否超出设置值，若是超出设置值，擦除该块数据，接着更新参数，判断地址A往后储存是否不超过设置的地址范围，若是超过，在地址A处写入新参数，直至结束，若不是超过，擦除该块数据，在起始地址写入，直至结束；若不是超出设置值，返回步骤1)重新开始；
[0013]若是全为oxff，包括以下步骤：
[0014]直接获取第一个oxff的地址A，判断地址A是否不为块起始地址；若是地址A为块起
始地址，往后读取一组数据，即往后退存储参数的个数，直接判断是匹配帧结构以及校验，如果不匹配，便往下继续遍历，即读取地址继续往后，在判断地址A是否超出设置值，若不是超出设置，返回，重复上述往后读取一组数据，及其后续步骤；若是超出设置，擦除该块数据，接着更新参数，重复上述判断地址A往后储存是否不超过设置的地址范围及其后续步骤；
[0015]若是地址A不是块起始地址，直接更新参数，重复上述判断地址A往后储存是否不超过设置的地址范围及其后续步骤；
[0016]其中，设置值为系统设置的存储单元地址。
[0017](三)有益效果
[0018]本专利技术相对于现有技术，具有以下有益效果：
[0019]本专利技术达到能够最大化的使用flash的块单元，仅在整个块写满后才擦除，达到磨损均衡的效果；即使在写入过程中外部断电，也仅仅丢失当前一次的写入结果，之前的结果仍然保留，达到断电保存的效果；且在系统设置的存储单元大小一定时，能够大幅度的提高使用寿命。
附图说明
[0020]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0021]图1为本专利技术的读写方法流程图。
[0022]图2为传统的读写方法流程图。
具体实施方式
[0023]本技术方案中：
[0024]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0025]参照图1所示，本专利技术提出了一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法，所述读写方法具体步骤如下：
[0026]1)开始，从存储地址开始读取5个字节数，前后加上特定的帧头
[0027]($)、帧尾(*)以及异或校验；
[0028]2)判断5字节是否全为oxff；
[0029]若不是全为oxff，包括以下步骤：
[0030]重新读地址一次，判断地址是否超出设置值，若是超出设置值，擦除该块数据，接着更新参数，判断地址A往后储存是否不超过设置的地址范围，若是超过，在地址A处写入新参数，直至结束，若不是超过，擦除该块数据，在起始地址写入，直至结束；若不是超出设置值，返回步骤1)重新开始；
[0031]若是全为oxff，包括以下步骤：
[0032]直接获取第一个oxff的地址A，判断地址A是否不为块起始地址；若是地址A为块起始地址，往后读取一组数据，即往后退存储参数的个数，直接判断是匹配帧结构以及校验，
如果不匹配，便往下继续遍历，即读取地址继续往后，在判断地址A是否超出设置值，若不是超出设置，返回，重复上述往后读取一组数据，及其后续步骤；若是超出设置，擦除该块数据，接着更新参数，重复上述判断地址A往后储存是否不超过设置的地址范围及其后续步骤；
[0033]若是地址A不是块起始地址，直接更新参数，重复上述判断地址A往后储存是否不超过设置的地址范围及其后续步骤；
[0034]其中，设置值为系统设置的存储单元地址。
[0035]本专利技术中如图1所示，本方法，如图所示，将需要存储的数据，前后加上特定的帧头($)、帧尾(*)以及异或校验，在存储时，先遍历系统设置存储单元，找到值全为0xff的起始地址，从该地址开始写入，如果该地址超过系统设置的存储单元地址，那么擦除整个块，再从头写入。读取过程反之，先遍历系统设置存储单元，找到值全为0xff的起始地址，往后退存储参数的个数，判断是否满足帧结构以及校验，
[0036]如果不满足，便往下继续遍历，直至遍历整个存储单元。该方式能够最大化的使用flash的块单元，仅在整个块写满后才擦除，达到磨损均衡的效果；即使在写入过程中外部断电，也仅仅丢失当前一次的写入结果，之前的结果仍然保留，达到断电保存的目的；在与传统的方式比较，在系统设置的存储单元大小一定时，能够大幅度的提高使用寿命，如存储参数个数为29字节数时，本方法加入特定结构后为32字节，传统方式只能单块只能工作69天，而本方法可工作100000*4096/(32*60*24)＝8888天，显著提高了产品使用周期。
[0037]以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法，其特征在于：所述读写方法具体步骤如下：1)开始，从存储地址开始读取5个字节数，前后加上特定的帧头($)、帧尾(*)以及异或校验；2)判断5字节是否全为oxff；若不是全为oxff，包括以下步骤：重新读地址一次，判断地址是否超出设置值，若是超出设置值，擦除该块数据，接着更新参数，判断地址A往后储存是否不超过设置的地址范围，若是超过，在地址A处写入新参数，直至结束，若不是超过，擦除该块数据，在起始地址写入，直至结束；若不是超出设置值，返回步骤1)重新开始；若是全为oxff，包括以下步骤：直接获取...

【专利技术属性】
技术研发人员：张勇鹏，杨华炜，林仁杰，
申请(专利权)人：福建福大北斗通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：