基于高电压脉冲执行编程操作以安全地擦除数据制造技术

能够接收对存储器组件执行安全擦除操作的请求。能够确定在读取操作期间施加到所述存储器组件的未经选择的字线的电压电平。能够将电压脉冲施加到所述存储器组件的至少一个字线以执行所述安全擦除操作。所述电压脉冲能够与编程操作相关联以将所述存储器组件的存储器单元置于超过在所述读取操作期间施加到所述存储器组件的所述未经选择的字线的所述电压电平的另一电压电平下。压电平的另一电压电平下。压电平的另一电压电平下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于高电压脉冲执行编程操作以安全地擦除数据


[0001]本公开大体上涉及存储器子系统，且更明确来说，涉及基于高电压脉冲执行编程操作以安全地擦除存储器子系统中的数据。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可为(例如)非易失性存储器组件及易失性存储器组件。一般来说，主机系统可利用存储器子系统在存储器组件处存储数据及从存储器组件检索数据。
附图说明
[0003]将从下文给出的详细描述及从本公开的各个实施方案的附图更完全理解本公开。
[0004]图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。
[0005]图2是根据一些实施例的用于基于高电压脉冲执行编程操作的实例方法的流程图。
[0006]图3说明根据本公开的一些实施例的高电压脉冲到存储器单元的施加。
[0007]图4A说明根据本公开的一些实施例的响应于高电压脉冲到块的字线的施加的块的字线。
[0008]图4B说明根据本公开的一些实施例的响应于高电压脉冲到块的字线的施加之后进行的读取操作的块的存储器单元。
[0009]图5是根据一些实施例的用于将高电压脉冲施加到存储器组件的每一块中的字线的实例方法的流程图。
[0010]图6是本公开的实施方案可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0011]本公开的方面涉及基于高电压脉冲执行编程操作以安全地擦除存储器子系统中的数据。存储器子系统可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的混合体。下文结合图1描述存储装置及存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含存储数据的一或多个存储器装置的存储器子系统。主机系统可提供将存储于存储器子系统处的数据且可请求将从存储器子系统检索的数据。存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。针对一些类型的非易失性存储器装置(例如NAND装置)，每一平面由一组物理块组成。针对一些存储器装置，块是可被擦除的最小区。每一块由一组页面组成。每一页面由存储数据位的一组存储器单元组成。
[0012]常规存储器子系统执行擦除操作以移除存储于存储器子系统中包含的存储器装置处的数据。举例来说，为了执行擦除操作，常规存储器子系统可擦除或以其它方式损坏存储于将数据存储于存储器装置中的每一者处的每一块处的数据。然而，对存储器子系统中包含的每个装置的每一块执行此擦除操作可能要利用大量时间。
[0013]本公开的方面通过基于高电压脉冲执行编程操作以安全地擦除存储器子系统中的数据来解决上述及其它缺点。举例来说，安全擦除操作可经接收以损坏数据或以其它方式使数据无法从存储器子系统存取或恢复。为了执行安全擦除操作，可将高电压脉冲施加到存储来自主机系统的数据的每一块的单个字线。块可包含多个字线，其中每一字线是一系列存储器单元。在读取操作期间，来自块的单个字线的数据可通过将读取电压信号施加到将从其检索数据的字线同时将通过电压信号施加到将不从其检索数据的块的剩余或未经选择的字线来进行检索。通过电压信号的施加可导致未经选择的字线的存储器单元处于导电状态，而被施加到所选择的字线的读取电压信号可基于表示存储于所选择的字线的每一存储器单元处的位值的阈值电压状态导致存储器单元处于导电状态(即，短接状态)或电阻状态(即，断开状态)。举例来说，如果所施加读取电压信号超过存储器单元的阈值电压状态，那么存储器单元可处于短接状态且可被解译为第一值(例如
‘1’
)。否则，如果所施加读取电压信号没有超过存储器单元的阈值电压状态，那么存储器单元可处于断开状态且可被解译为不同或第二值(例如
‘0’
)。
[0014]如先前描述，编程操作可基于高电压脉冲来安全地擦除数据。高电压脉冲可施加到块的至少一个字线使得块的读取操作可由于字线的每一存储器单元处于断开状态而传回单个值(例如0或多个0位)。举例来说，编程脉冲电压的量值可经设置使得经编程存储器单元在存储器子系统执行块的读取操作时将具有高于用于未经选择的字线的电压的电压。因此，块中的特定字线的每一存储器单元可处于超过读取阈值电压状态或通过电压状态中的任一者(例如，读取阈值电压状态或通过电压状态中的任一者的电压电平)的高电压状态。因此，如果后续读取操作在块处执行，那么字线可影响所选择的字线的读取操作使得读取操作针对希望被读取的字线的每一存储器单元传回相同值(例如
‘0’
)。举例来说，通过电压信号可施加到特定未经选择的字线，且由于特定字线的每一存储器单元由于高电压脉冲而处于高电压电平或状态，因此所传回的值全都可处于
‘0’
值，无论存储于希望被读取的所选择的字线处的实际值为何。
[0015]本公开的优点包含(但不限于)用于执行存储器子系统的擦除操作的时间及能量的量减小。举例来说，由于高电压脉冲可施加到块的单个字线的每一存储器单元，而非对块的每一字线的每一存储器单元执行擦除或其它此操作，因此安全擦除操作能够在较少时间内完成。因此，存储器子系统的性能能够得到改进，这是因为存储器子系统可用于执行数目增加的其它存储器操作，因为需要较少时间执行安全擦除操作。
[0016]图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算环境100。存储器子系统110可包含媒体，例如存储器组件112A到112N(下文也称为“存储器装置”)。存储器组件112A到112N可为易失性存储器组件、非易失性存储器组件或此类组件的组合。存储器子系统110可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的混合体。存储装置的实例包含固态驱动器(SSD)、快闪阵列、快闪驱动器、通用串行总线(USB)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(eMMC)驱动器、通用快闪存储(UFS)驱动器及硬盘驱动器(HDD)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(DIMM)、小形DIMM(SO
‑
DIMM)及非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。
[0017]计算环境100可包含耦合到存储器系统的主机系统120。存储器系统可包含一或多个存储器子系统110。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。
图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。主机系统120使用存储器子系统110例如将数据写入到存储器子系统110及从存储器子系统110读取数据。如本文中使用，“耦合到”通常是指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，无中介组件)，无论有线还是无线，包含例如电、光学、磁等的连接。
[0018]主机系统120可为计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、嵌入式计算机(例如包含于运载工具、工业设备或联网商用装置中的嵌入式计算机)或包含存储器及处理装置的此类计算装置。主机系统120可包含或耦合到存储器子系统110，使得主机系统120可从存储器子系统110读取数据或将数据写本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：接收对存储器组件执行安全擦除操作的请求；确定在读取操作期间施加到所述存储器组件的未经选择的字线的电压电平；及由处理装置将电压脉冲施加到所述存储器组件的至少一个字线以执行所述安全擦除操作，所述电压脉冲在编程操作中经施加以将所述存储器组件的存储器单元置于超过在所述读取操作期间施加到所述存储器组件的所述未经选择的字线的所述电压电平的另一电压电平下。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个字线的每一存储器单元响应于所述电压脉冲在后续读取操作期间到所述至少一个字线的所述施加而处于断开状态。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述后续读取操作用以检索与所述存储器组件的特定字线相关联的数据，且其中所述后续读取操作的结果对应于相同值，所述相同值是基于所述至少一个字线的每一存储器单元在所述后续读取操作期间处于所述断开状态。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个字线的每一存储器单元处于阈值电压状态，所述阈值电压状态超过响应于所述电压脉冲在所述编程操作期间的所述施加的所述经确定电压电平。5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：确定所述电压脉冲是否已经响应于先前安全擦除操作而被施加到所述存储器组件的特定字线；及响应于确定所述电压脉冲尚未被施加到所述特定字线，选择所述特定字线作为所述电压脉冲将被施加到其的所述至少一个字线。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：确定所述电压脉冲是否已经响应于先前安全擦除操作而被施加到所述存储器组件的特定字线；及响应于确定所述电压脉冲已被施加到所述特定字线，选择不同字线作为所述电压脉冲将被施加到其的所述至少一个字线。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个字线对应于将被安全地擦除的所述存储器组件的每一块中的一或多个字线。8.一种系统，其包括：存储器组件；及处理装置，其与所述存储器组件可操作地耦合以：接收对存储器组件执行安全擦除操作的请求；确定在读取操作期间施加到所述存储器组件的未经选择的字线的电压电平；及将电压脉冲施加到所述存储器组件的至少一个字线以执行所述安全擦除操作，所述电压脉冲在编程操作中经施加以将所述存储器组件的存储器单元置于超过在所述读取操作期间施加到所述存储器组件的所述未经选择的字线的所述电压电平的另一电压电平下。9.根据权利要求8所述的系统，其中所述至少一个字线的每一存储器单元响应于所述电压脉冲在后续读取操作期间到所述至少一个字线的所述施加而处于断开状态。10.根据权利要求9所述的系统，其中所述后续读取操作用以检索与所述存储器组件的特定字线相关联的数据，且其中所述后续读取操作的结果对应于相同值，所述相同值是基
于所述至少一个字线的每一存储器单元在所述后续读取操作期间处于所述断开状态。11.根据权利要求8所述的系统，其中所述至少一个字线的每一存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：