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本公开涉及存储器子系统中的存储器单元的多阶段擦除操作。存储器装置中的控制逻辑执行编程操作以将一组存储器单元中的存储器单元编程到编程电平。执行第一擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第一阈值电压电平，所述第一擦除子操作包含将具有第一擦除电压电平...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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