【技术实现步骤摘要】
半导体装置、半导体模块、电子元器件以及SiC半导体装置
[0001]本专利技术是申请号为201880026608.8(国际申请号为PCT/JP2018/016373)、专利技术名称为“电子元器件和半导体装置”、申请日为2018年4月20日的专利技术申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及电子元器件和半导体装置。
技术介绍
[0003]专利文献1公开了一种作为电子元器件一例的功率模块半导体装置。该功率模块半导体装置包含陶瓷基板。在陶瓷基板上配置有半导体器件和端子电极。
[0004]端子电极横贯陶瓷基板的侧面并从陶瓷基板的内侧的区域向外侧的区域引出。端子电极经由键合引线与半导体器件电连接。
[0005]在半导体器件上立设有柱状电极。陶瓷基板、半导体器件、柱状电极和端子电极的一部分被树脂层封固。树脂层形成于陶瓷基板的外表面的整个区域。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开2013－172044号公报
技术实现思路
[00...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；主面绝缘层，其形成于所述第一主面侧；第一半导体芯片，其具有一侧的第一表面和另一侧的第一背面，且包含形成于所述第一表面侧的表面电极，并配置在所述主面绝缘层上；第二半导体芯片，其具有一侧的第二表面和另一侧的第二背面，且包含形成于所述第二背面侧的背面电极，并配置在所述主面绝缘层上；连接配线，其与所述第一半导体芯片的所述表面电极以及所述第二半导体芯片的所述背面电极电连接；以及封固绝缘层，其封固所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片以及所述连接配线，且具有沿着所述第一主面延伸的封固主面。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板具有连接所述第一主面和所述第二主面的基板侧面，由所述第一半导体芯片产生的热以及由所述第二半导体芯片产生的热经由所述半导体基板的所述第二主面以及所述基板侧面向外部散放。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板是硅基板、碳化硅基板、蓝宝石基板或氮化物半导体基板。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板具有比所述封固绝缘层的厚度大的厚度。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板具有50μm以上且1000μm以下的厚度，所述封固绝缘层具有10μm以上且小于所述半导体基板的厚度的厚度。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述主面绝缘层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述主面绝缘层具有1MV/cm以上的绝缘破坏电场强度。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述主表面绝缘层具有比所述第一半导体芯片的厚度和所述第二半导体芯片的厚度双方小的厚度。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述主面绝缘层具有0.1μm以上且100μm以下的厚度。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述封固绝缘层使所述半导体基板的所述第二主面露出。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板具有连接所述第一主面和所述第二主面的基板侧面，所述封固绝缘层使所述基板侧面露出。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述封固绝缘层具有封固侧面，该封固侧面形成为与所述基板侧面表面一致。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体芯片具有芯片主体，该芯片主体包含硅、碳化硅或氮化物半导体。14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体芯片具有600V以上的耐压。15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还包括配置在所述主面绝缘层上的配线，所述第一半导体芯片配置在所述配线上，所述第二半导体芯片配置在所述配线上。16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体芯片包含背面电极，该背面电极形成于所述第一...
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