一种可耐极低负压的浮动衬底电压电路制造技术

本发明专利技术涉及一种可耐极低负压的浮动衬底电压电路，属于集成电路技术领域。所述浮动衬底电压电路包括：负压衬底电压选择电路、正压衬底电压选择电路、衬底电压选择控制电路。本发明专利技术通过将电路的衬底电压跟随输入信号变化，在负压时将衬底电压选择至输入负压、在正压时将衬底电压选择至GND，因此可以保证芯片在端口接入负压时不会损坏，也极大地降低了闩锁效应风险。应风险。应风险。

【技术实现步骤摘要】
一种可耐极低负压的浮动衬底电压电路


[0001]本专利技术涉及电子
，特别涉及集成电路
，具体是指一种可耐极低负压的浮动衬底电压电路。

技术介绍

[0002]随着无线电技术的发展，各种便携式可无线充电的移动设备越来越普遍。这些便携式智能无线充电设备随着开关速度和充电电压的提高以及开关管交替进行开关动作时，开关管漏极和源极将承受较大的电压和电流，因此需要特殊的可耐极端电压(如
±
40V)功率信号开关来控制线圈通道的开启与关闭。传统的BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺的芯片负向耐压一般为0.3V，因此，在不动态改变衬底SBU电压的前提下，只能使用SOI(silicon
‑
on
‑
insulator)工艺，这极大地提高了芯片的成本。而且作为功率开关管的NLDMOS是具有的NBL埋层的非完全隔离的器件，在物理上和MOS管的漏极是直接连接的，因此当输入信号接负压的过程中极易发生闩锁效应，造成器件损坏。
[0003]因此，有必要研究一种可随输入电压动态改变衬底SBU电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可耐极低负压的浮动衬底电压电路，其特征在于，包括：负压衬底电压选择电路、正压衬底电压选择电路和衬底电压选择控制电路，所述的负压衬底电压选择电路连接外部功率开关器件的输入信号，所述的衬底电压选择控制电路，用以连接并控制所述外部功率开关器件的衬底电压，当所述的输入信号为负压时，基于所述的负压衬底电压选择电路输出衬底电压为负压；当所述的输入信号为正压时，基于所述的正压衬底电压选择电路输出衬底电压为地(GND)。2.根据权利要求1所述的可耐极低负压的浮动衬底电压电路，其特征在于，所述的输入信号包括信号a和信号b；所述负压衬底电压选择电路包括两个背靠背耐高压的第一功率管(N1)和第二功率管(N2)，所述的第一功率管(N1)的漏极连接信号a；所述的第二功率管(N2)的漏极连接信号b；所述的第一功率管(N1)的栅极和第二功率管(N2)的栅极相连，同时连接电荷泵模块(4)的输出端和第一高压NMOS管(N3)的漏极，即连接内部节点A；所述的第一功率管(N1)和第二功率管(N2)的源极相连，同时连接二极管(3)的正极和第二高压MOS管(N4)的漏极，即内部节点C；第一电源VDD模块(5)的输出端通过正向连接的所述的二极管(3)连接第一限流电阻(2)的上端；第一限流电阻(2)的下端连接第一NMOS开关管(S1)的漏极、第一电压裕度模块(1)的上端，同时连接第一高压NMOS管(N3)的栅极，即内部节点D；所述的第一高压NMOS管(N3)的源极和其B端相连，第一高压NMOS管(N3)和第二高压NMOS管(N4)的源极、所述第一电压裕度模块(1)的下端、所述的第一NMOS开关管(S1)的源极连接至衬底电压节点SBU；该第一NMOS开关管(S1)的源极和其B端相连。3.根据权利要求2所述的可耐极低负压的浮动衬底电压电路，其特征在于，所述正压衬底选择电路包括第二电压裕度模块(10)，该第二电压裕度模块(10)的上端连接至所述的衬底电压节点SBU，该第二电压裕度模块(10)的下端连接至第二限流电阻(11)的上端以及第三高压N...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘康生，朱梦婷，杨世季，郭亚，
申请(专利权)人：无锡力芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：