【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路，特别涉及ldo芯片电路结构，具体是指一种用于ldo的快速过压保护的电路。
技术介绍
1、随着电子技术的发展，电源管理芯片在电子设备中被广泛应用。其中ldo(低压差稳压器)芯片是不可或缺的一类。ldo芯片在日常使用中不可避免地会遇到电路过压的问题，因此电路过压模块的成为ldo芯片中不可或缺的一部分。
2、然而，在现有的过压模块中，当输入电压vin大范围发生波动时，比较器输入电压在短时间内不会发生变化，从而会导致过压保护电路无法正常工作，功率开关管可能会被击穿。
3、因此，提供一种能够对于电压变化进行快速响应的过压保护电路成为本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种能够对于电压变化进行快速响应的过压保护电路。
2、为了实现上述的目的，本专利技术的用于ldo的快速过压保护电路具有比较器和快速过压保护单元。
3、所述的比较器的反向输入端连接基准电压vref，该比较器的正向输入端连接采样信号v1；所述的快速过压保护单元包括串联的第一分压电阻r1和第二分压电阻r2，还包括与所述第一分压电阻r1并联的快速电容c，所述的第一分压电阻r1的一端连接输入电压vin，另一端为所述的采样信号v1并连接所述的比较器的正向输入端以及所述的第二分压电阻r2，该第二分压电阻r2的另一端接地。
4、该用于ldo的快速过压保护电路中，所述的比较器包括差分对以及放大器。所述的差分对
5、其中，所述的第一n型mos管mn1的栅极连接所述的基准电压vref；
6、该第一n型mos管mn1的漏极连接所述的第一p型mos管mp1、第二p型mos管mp2以及第三p型mos管mp3的栅极，还连接该第一p型mos管mp1的漏极；
7、所述的第一p型mos管mp1、第二p型mos管mp2、第三p型mos管mp3和第五p型mos管mp5的源极均连接电源电压vdd；
8、所述的第二p型mos管mp2的漏极连接所述的第二n型mos管mn2的漏极以及第五p型mos管mp5的栅极；
9、该第二n型mos管mn2的栅极连接所述的采样信号v1；
10、所述的第一n型mos管mn1和第二n型mos管mn2的源极均连接所述的第三n型mos管mn3的漏极，
11、该第三n型mos管mn3的栅极连接所述的第四n型mos管mn4的栅极；
12、所述的第四n型mos管mn4和所述的第五p型mos管mp5的漏极为比较器的输出端，且均连接所述的第四p型mos管mp4的栅极；
13、所述的第三n型mos管mn3和第四n型mos管mn4的源极接地；
14、所述的第三p型mos管mp3的漏极连接所述的第四p型mos管mp4的源极；
15、该第四p型mos管mp4的漏极连接所述的第五p型mos管mp5的栅极。
16、该用于ldo的快速过压保护电路中，所述的第四n型mos管mn4和所述的第五p型mos管mp5的漏极均连接施密特触发器smit的输入端，该施密特触发器smit的输出端连接倒相器inv2的一个输入端，该倒相器inv2的另一个输入端接地，该倒相器inv2的输出端连接所述的第四p型mos管mp4的栅极。
17、该用于ldo的快速过压保护电路中，所述的第一p型mos管mp1和第二p型mos管mp2的长宽比一致。
18、采用了该专利技术的用于ldo的快速过压保护电路，其包括比较器和快速过压保护单元，快速过压保护单元包括串联的第一分压电阻r1和第二分压电阻r2，还包括与第一分压电阻r1并联的快速电容c，第一分压电阻r1一端连接输入电压vin，另一端为采样信号v1，比较器的反向输入端连接基准电压vref，正向输入端连接所述的采样信号v1。从而当输入电压vin大范围波动δv时，由于电容c两端的压差不会产生突变，比较器的输入电压采样信号v1也会随之波动δv，由此实现对于输入电压变化的快速响应，保护ldo芯片不会受到损坏。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于LDO的快速过压保护电路，其特征在于，包括：比较器和快速过压保护单元，所述的比较器的反向输入端连接基准电压(VREF)，该比较器的正向输入端连接采样信号(V1)；所述的快速过压保护单元包括串联的第一分压电阻(R1)和第二分压电阻(R2)，还包括与所述第一分压电阻(R1)并联的快速电容(C)，所述的第一分压电阻(R1)的一端连接输入电压(VIN)，另一端为所述的采样信号(V1)并连接所述的比较器的正向输入端以及所述的第二分压电阻(R2)，该第二分压电阻(R2)的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的用于LDO的快速过压保护电路，其特征在于，所述的比较器包括差分对以及放大器，所述的差分对包括第一N型MOS管(MN1)、第二N型MOS管(MN2)、第三N型MOS管(MN3)、第一P型MOS管(MP1)和第二P型MOS管(MP2)；所述的放大器包括第四P型MOS管(MP4)和第五P型MOS管(MP5)；该第四P型MOS管(MP4)和第三P型MOS管(MP3)组成迟滞模块，
3.根据权利要求2所述的用于LDO的快速过压保护电路，其特征在于，所述的第四N型
4.根据权利要求2所述的用于LDO的快速过压保护电路，其特征在于，所述的第一P型MOS管(MP1)和第二P型MOS管(MP2)的长宽比一致。
...【技术特征摘要】
1.一种用于ldo的快速过压保护电路，其特征在于，包括：比较器和快速过压保护单元，所述的比较器的反向输入端连接基准电压(vref)，该比较器的正向输入端连接采样信号(v1)；所述的快速过压保护单元包括串联的第一分压电阻(r1)和第二分压电阻(r2)，还包括与所述第一分压电阻(r1)并联的快速电容(c)，所述的第一分压电阻(r1)的一端连接输入电压(vin)，另一端为所述的采样信号(v1)并连接所述的比较器的正向输入端以及所述的第二分压电阻(r2)，该第二分压电阻(r2)的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的用于ldo的快速过压保护电路，其特征在于，所述的比较器包括差分对以及放大器，所述的差分对包括第一n型mos管(mn1)、第二n型mos管(mn2)、第三n型mos管(mn3)、第一p型mo...
【专利技术属性】
技术研发人员：周昊，荣悦，王鑫，陈上邦，
申请(专利权)人：无锡力芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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