【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路结构，特别涉及开关芯片，具体是指一种快速过压响应的负载开关芯片。
技术介绍
1、开关芯片是各类电子设备中最常用的电路元件。目前的开关芯片普遍存在过压响应速度较慢的问题。过慢的过压响应速度容易导致高压引起的器件损坏。
2、另一方面，目前的开关芯片通常采用分离的高低压芯片，需要占用较大的空间。这就难以应用于对于器件空间有限的电子设备，如各类便携式移动设备中。
3、因此，如何提供一种占用空间较小的，适用于便携式移动设备的快速过压响应的负载开关芯片成为本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种占用空间较小的，适用于便携式移动设备的快速过压响应的负载开关芯片。
2、为了实现上述的目的，本专利技术的快速过压响应的负载开关芯片具有如下构成：
3、其包括集成于一个芯片中的功率开关模块、保护模块和控制模块。
4、所述的功率开关模块包括相互串联的第一n沟道mosfet和第二n沟道mosfet，所述第一n沟道mosfet的漏极连接该负载开关芯片的电压输入端，该第一n沟道mosfet的源极连接所述的第二n沟道mosfet的源极，该第二n沟道mosfet的漏极连接该载开关芯片的电压输出端；
5、所述的控制模块包括电荷泵，该电荷泵的输出端连接所述的第一n沟道mosfet的栅极和第二n沟道mosfet的栅极，使所述的第一n沟道mosfet和第二n沟道mosfet的栅极电
6、所述的保护模块包括过压保护电路，该过压保护电路的输入端连接所述的负载开关芯片的电压输入端，该过压保护电路用以在输入电压高于过压上阈值时，输出过压信号，所述的电荷泵直接从所述的过压保护电路接收该过压信号并控制所述的第一n沟道mosfet和第二n沟道mosfet关断，在输入电压低于过压下阈值时，该过压保护电路输出导通使能信号，通过所述的电荷泵控制所述的第一n沟道mosfet和第二n沟道mosfet导通。
7、该快速过压响应的负载开关芯片中，所述的过压保护电路设置有电压迟滞，所述的过压下阈值低于所述的过压上阈值。
8、该快速过压响应的负载开关芯片中，所述的电荷泵接收该过压信号后，控制所述的第一n沟道mosfet以及第二n沟道mosfet源极与漏极间的电压差。
9、该快速过压响应的负载开关芯片中，所述的保护模块还包括欠压保护电路，该欠压保护电路的输入端连接所述的负载开关芯片的电压输入端，该欠压保护电路用以在输入电压小于预设值时，输出关断使能信号，该关断使能信号通过所述的电荷泵控制所述的第一n沟道mosfet和第二n沟道mosfet关断。
10、该快速过压响应的负载开关芯片中，所述的保护模块还包括连接于所述的负载开关芯片的电压输入端与所述的过压保护电路的输入端之间的带隙基准电路。
11、该快速过压响应的负载开关芯片中，所述的保护模块还包括过温保护电路和过流保护电路，所述的控制模块还包括数字模块，所述的过温保护电路和过流保护电路的输入端均连接所述的带隙基准电路，所述的过温保护电路和过流保护电路的输出端均连接所述的数字模块，该数字模块的输出端连接所述的电荷泵。
12、该快速过压响应的负载开关芯片中，所述的控制模块还包括使能模块、振荡器和电流检测电路，所述的使能模块连接于该负载开关芯片使能引脚与所述的数字模块之间，所述的振荡器分别连接所述的数字模块、电荷泵和电流检测电路，该电流检测电路还连接于该负载开关芯片的电压输出端以及电路检测引脚。
13、采用了该专利技术的快速过压响应的负载开关芯片，其功率开关模块包括相互串联的2个n沟道mosfet，保护模块包括过压保护电路，在输入电压高于过压上阈值时，过压保护电路输出过压信号，控制模块中的电荷泵根据过压信号控制二个n沟道mosfet快速关断，由此实现了对于过压的快速响应，同时本专利技术的负载开关芯片功率开关模块、保护模块和控制模块集成于一个芯片中，减小了所需的空间，更适用于便携式移动设备。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种快速过压响应的负载开关芯片，其特征在于，包括集成于一个芯片中的功率开关模块、保护模块和控制模块；
2.根据权利要求1所述的快速过压响应的负载开关芯片，其特征在于，所述的保护模块还包括欠压保护电路，该欠压保护电路的输入端连接所述的负载开关芯片的电压输入端，该欠压保护电路用以在输入电压小于预设值时，输出关断使能信号，该关断使能信号通过所述的电荷泵控制所述的第一N沟道MOSFET和第二N沟道MOSFET关断。
3.根据权利要求1所述的快速过压响应的负载开关芯片，其特征在于，所述的保护模块还包括连接于所述的负载开关芯片的电压输入端与所述的过压保护电路的输入端之间的带隙基准电路。
4.根据权利要求3所述的快速过压响应的负载开关芯片，其特征在于，所述的保护模块还包括过温保护电路和过流保护电路，所述的控制模块还包括数字模块，所述的过温保护电路和过流保护电路的输入端均连接所述的带隙基准电路，所述的过温保护电路和过流保护电路的输出端均连接所述的数字模块，该数字模块的输出端连接所述的电荷泵。
5.根据权利要求4所述的快速过压响应的负载开关芯片，
...【技术特征摘要】
1.一种快速过压响应的负载开关芯片，其特征在于，包括集成于一个芯片中的功率开关模块、保护模块和控制模块；
2.根据权利要求1所述的快速过压响应的负载开关芯片，其特征在于，所述的保护模块还包括欠压保护电路，该欠压保护电路的输入端连接所述的负载开关芯片的电压输入端，该欠压保护电路用以在输入电压小于预设值时，输出关断使能信号，该关断使能信号通过所述的电荷泵控制所述的第一n沟道mosfet和第二n沟道mosfet关断。
3.根据权利要求1所述的快速过压响应的负载开关芯片，其特征在于，所述的保护模块还包括连接于所述的负载开关芯片的电压输入端与所述的过压保护电路的输入端之间的带隙基准电路。
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【专利技术属性】
技术研发人员：周昊，曹宇琦，沈君，倪佳辉，
申请(专利权)人：无锡力芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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