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本发明涉及一种快速过压响应的负载开关芯片，属于电路结构技术领域。采用了该发明的快速过压响应的负载开关芯片，其功率开关模块包括相互串联的2个N沟道MOSFET，保护模块包括过压保护电路，在输入电压高于过压上阈值时，过压保护电路输出过压信号，控...
该专利属于无锡力芯微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡力芯微电子股份有限公司授权不得商用。

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