异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池技术

本发明专利技术提供了一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，基于本发明专利技术所提供的异质结太阳能电池的制备方法，在制作硅衬底受光面的第一本征钝化膜时，由于氧化非晶硅层外沉积有本征非晶硅保护层，在采用H2进行等离子体处理的过程中，本征非晶硅保护层会被等离子体刻蚀去除，而氧化非晶硅层得到保存，同时氧化非晶硅层中的H含量得到较大提升；如此相对现有技术能够在优化第一本征钝化膜透光性的同时改善第一本征钝化膜钝化效果，进而有效提高异质结电池的光电转换效率。提高异质结电池的光电转换效率。提高异质结电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池


[0001]本专利技术涉及光伏领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池。

技术介绍

[0002]随着光伏行业的发展，太阳能电池转换效率越来越高。异质结太阳能电池作为高效电池的发展方向之一，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点，在产业中所占比重越来越高。对于异质结太阳能电池而言，其硅衬底表面的非晶硅膜层能对硅衬底表面进行钝化，极大的降低表面复合速率，且较大的带隙宽度同晶硅形成PN结后可得到较大的内建电场，使得异质结电池具有更高的开路电压。但是非晶硅膜层本身由于吸光系数较高，对于入射光的吸收会比较严重，导致实际入射到硅衬底内部的光子减少，影响光生载流子的产生数量；进而导致异质结太阳能电池的短路电流下降，影响异质结电池的光电转换效率。
[0003]现有技术中，有通过对受光面的非晶硅膜层采用含氧气体掺杂的技术方案，使得部分形成透光性较好的氧化硅膜层，该方案可以有效增加钝化膜层的光学带隙，增加光的透过，减少光在膜层中的吸收本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在所述硅衬底的受光面一侧制作第一本征钝化膜，所述第一本征钝化膜的制作依次包括以下步骤：沉积第一本征非晶硅层；沉积氧化非晶硅层；沉积本征非晶硅保护层；采用H2进行等离子体处理，刻蚀至少部分所述本征非晶硅保护层，并增加所述氧化非晶硅层的氢含量。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，沉积所述第一本征非晶硅层的步骤包括：在所述硅衬底的受光面一侧依次沉积第一本征非晶硅层内层与第一本征非晶硅层外层，所述第一本征非晶硅层内层的沉积速率大于所述第一本征非晶硅层外层的沉积速率。3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，沉积所述第一本征非晶硅层内层时，射频功率范围为400
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1000W，采用SiH4气体，所述SiH4气体的流量范围为500
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2000sccm；沉积所述第一本征非晶硅层外层时，射频功率范围为150W
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400W，采用SiH4/H2混合气体，所述SiH4/H2混合气体中的SiH4与H2流量比例范围为5:1
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1:20，其中，SiH4气体流量范围为100
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800sccm。4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一本征非晶硅层内层沉积速率范围为0.4nm/s
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1.2nm/s，所述第一本征非晶硅层外层的沉积速率范围为0.03nm/s
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0.3nm/s；所述第一本征非晶硅层内层的厚度小于所述第一本征非晶硅层外层的厚度，其中，所述第一本征非晶硅层内层的厚度范围为1nm
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3nm，所述第一本征非晶硅层外层的厚度范围为2nm
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6nm。5.根据权利要求1
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4任意一项所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，沉积所述氧化非晶硅层时，射频功率范围为150W
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400W，采用SiH4/H2/CO2混合气体，所述SiH4/H2/CO2混合气体中的SiH...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈曦，张达奇，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：