一种异质结电池及其制备方法技术

本申请公开一种异质结电池及其制备方法，方法包括：提供一层N型硅片衬底，清洗N型硅片衬底；在第一表面打印第一预设图案，腐蚀未打印区域；腐蚀去除第一预设图案，得到第一绒面结构；在第二表面打印第二预设图案，腐蚀未打印区域；腐蚀去除第二预设图案，得到第二绒面结构；沉积第一非晶或微晶硅钝化层、第二非晶或微晶硅钝化层；沉积第一复合透明导电膜、第二复合透明导电膜；印刷第一栅线、第二栅线。通过本申请提供的方法制备得到的异质结电池，入射光反射率更低，钝化效果更好，具有更大的斜光发电效率。能有效降低电池寄生电流损失，增加红光区响应以提高电流密度，提高电池性能，并降低生产成本。并降低生产成本。并降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种异质结电池及其制备方法


[0001]本申请涉及异质结电池
，尤其涉及一种异质结电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]硅基异质结太阳电池因具有转换效率高、温度系数低、无光衰减及电势诱导衰减等优点逐渐在光伏产业确立显著的优势地位。对于薄片异质结太阳电池，陷光结构设计对提高光的吸收利用有着重要的作用。
[0003]目前，硅基异质结太阳电池普遍采用湿法制绒工艺形成正金字塔结构来降低硅片表面反射，但正金字塔结构降低入射光的反射率的效果并不理想，导致异质结电池的光能转换率较低。
[0004]另外，硅基异质结太阳电池普遍存在非晶硅禁带宽度低，短波寄生光吸收强的现象，导致寄生电流损失，影响电池能效。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种异质结电池及其制备方法，以解决异质结电池光能转换效率低、寄生电流损失的问题。
[0006]第一方面，本申请提供了一种异质结电池的制备方法，包括：提供一层N型硅片衬底，其中，N型硅片衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；依次采用氟化氢水溶液HF/H2O和氢氧化钠水溶液Na本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：提供一层N型硅片衬底，其中，所述N型硅片衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；依次采用氟化氢水溶液HF/H2O和氢氧化钠水溶液NaOH/H2O清洗所述N型硅片衬底；在清洗后的所述第一表面打印第一预设图案，其中，所述第一预设图案包括在所述第一表面呈阵列排布的方块图案、球体图案、三角体图案中的一种或多种；采用具有添加剂的氢氧化钠水溶液NaOH/H2O腐蚀所述第一表面中未打印所述第一预设图案的区域；腐蚀去除所述第一预设图案，得到第一绒面结构；在清洗后的所述第二表面打印第二预设图案，其中，所述第二预设图案包括在所述第二表面呈阵列排布的方块图案、球体图案、三角体图案中的一种或多种；采用具有添加剂的氢氧化钠水溶液NaOH/H2O腐蚀所述第二表面中未打印所述第二预设图案的区域；腐蚀去除所述第二预设图案，得到第二绒面结构；在所述第一绒面结构上沉积第一非晶或微晶硅钝化层，在所述第二绒面结构上沉积第二非晶或微晶硅钝化层；在所述第一非晶或微晶硅钝化层上沉积第一复合透明导电膜，在所述第二非晶或微晶硅钝化层上沉积第二复合透明导电膜；在所述第一复合透明导电膜上丝网印刷第一栅线，在所述第二复合透明导电膜上丝网印刷第二栅线。2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述具有添加剂的氢氧化钠水溶液NaOH/H2O包括：所述氢氧化钠NaOH的浓度为2％～5％，所述添加剂的浓度为0.2％～0.5％，溶液温度为60～80℃；对未打印所述第一预设图案的区域和/或未打印所述第二预设图案的区域的腐蚀时间为8～15min。3.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述腐蚀去除所述第一预设图案，包括：依次采用氨水NH3
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H2O、双氧水H2O2以及水H2O的混合溶液，盐酸HCL、双氧水H2O2以及水H2O的混合溶液腐蚀去除所述第一预设图案；所述腐蚀去除所述第二预设图案，包括：依次采用氨水NH3
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H2O、双氧水H2O2以及水H2O的混合溶液，盐酸HCL、双氧水H2O2以及水H2O的混合溶液腐蚀去除所述第二预设图案；所述氨水NH3
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H2O、双氧水H2O2以及水H2O的混合溶液包括：所述氨水NH3
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H2O的浓度为1％～2％，所述双氧水H2O2的浓度为4％～10％；对所述第一预设图案和/或所述第二预设图案的腐蚀去除温度为60～80℃，对所述第一预设图案和/或所述第二预设图案的腐蚀去除时间为2～5min；所述盐酸HCL、双氧水H2O2以及水H2O的混合溶液包括：所述盐酸HCL的浓度为8％～15％，所述双氧水H2O2的浓度为10％～20％；对所述第一预设图案和/或所述第二预设图案的腐蚀去除温度为60～80℃，对所述第一预设图案和/或所述第二预设图案的腐蚀去除时间为2～3min。4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述第一预设图案和/或所述第二预设图案包括至少一个球体图案，所述球体的直径
为0.4～1.6μm。5.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第一非晶或微晶硅钝化层上沉积第一复合透明导电膜，在所述第二非晶或微晶硅钝化层上沉积第二复合透明导电膜，包括：在所述第一非晶或微晶硅钝化层上沉积第一TiO2掺杂Nb2O5薄膜；其中，所述Nb2O5含量为1％～5％，溅射功率密度为3～15kW/m，溅射压强为0.3～0.6Pa，气体流量比O2/Ar为0.005～0.05，所述第一TiO2掺杂Nb2O5薄膜的膜层生长速率为3～20nm/s；在所述第一TiO2掺杂Nb2O5薄膜上沉积第一ITO膜；其中，Sn含量为0.5％～5％，溅射功率密度为3～15kW/m，溅射压强为0.3～1Pa，气体流量比O2/Ar为0.005～0.05，所述第一ITO膜的膜层生长速率为3～20nm/s；在所述第二非晶或微晶硅钝化层上沉积第二TiO2掺杂Nb2O5薄膜；其中，所述Nb2O5含量为3％～10％，溅射功率密度为3～15kW/m，溅射压强为0.3～0.6Pa，气体流量比O2/Ar为0.005～0.05，所述第二TiO2掺杂Nb2O5薄膜的膜层生长速率为3～20nm/s；在所述第二TiO2掺杂Nb2O5薄膜上沉积第二ITO膜；其中，Sn含量为3％～10％，溅射功率密度为3～15kW/m，溅射压强为0.3～1Pa，气体流量比O2/Ar为0.005～0.05，所述第二ITO膜的膜层生长速率为3～20nm/s。6.一种异质结电池，其特征在于，包括：N型硅片衬底(10)，其中，所述N型硅片衬底(10)包括相对设置的第一表面(11)和第二表面(12)，所述第一表面(11)设置有第一绒面结构，所述第二表面(12)设...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈光羽，张景洋，高杲，
申请(专利权)人：浙江爱康未来科技有限公司，
类型：发明
国别省市：