异质结电池的制备方法及镀膜设备技术

本发明专利技术涉及一种异质结电池的制备方法及镀膜设备,其中，制备方法包括：获取分别在硅基底两侧表面形成N型掺杂非晶硅层、P型掺杂非晶硅层的半成品电池；先在P型掺杂非晶硅层表面制备第一透明导电层；然后在N型掺杂非晶硅层外侧制备第二透明导电层。通过上述的制备方法，先制备P型掺杂非晶硅层表面的第一透明导电层，以对P型掺杂非晶硅层进行保护，防止在后续的工艺中对P型掺杂非晶硅层产生损伤，进而提升整个异质结电池的转化效率。提升整个异质结电池的转化效率。提升整个异质结电池的转化效率。

【技术实现步骤摘要】
异质结电池的制备方法及镀膜设备


[0001]本专利技术涉及光伏应用
，尤其涉及一种异质结电池的制备方法及镀膜设备。

技术介绍

[0002]异质结电池是目前比较流行的一种高效电池，异质结电池由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、无光致衰减、温度特性良好、制造工艺流程较短等多种天然优势，因此，异质结电池具有较大的市场潜力。
[0003]常规的异质结电池的透明导电层层具有导电性和透光性，尤其是背光面的透明导电层和P型非晶硅之间的接触直接影响到电池的填充因子(FF)，而，透明导电层的另一面和金属电极直接接触，因此，背面的透明导电层需要沉积至少两层来分别兼顾和非晶硅、金属电极的接触。透明导电层一般采用磁控溅射的方式进行镀膜，在沉积的过程中，会对非晶硅层产生损伤，不适当的镀膜工艺及镀膜顺序会影响非晶硅层的钝化效果，进而影响电池的效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种新的异质结电池的制备方法来解决上述问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于：获取分别在硅基底两侧表面形成N型掺杂非晶硅层、P型掺杂非晶硅层的半成品电池；先在P型掺杂非晶硅层表面制备第一透明导电层；然后在N型掺杂非晶硅层外侧制备第二透明导电层。2.如权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括：上述在N型掺杂非晶硅层外侧制备第二透明导电层之前，在第一透明导电层上制备第三透明导电层。3.如权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括：上述在N型掺杂非晶硅层表面制备第二透明导电层之后，在第一透明导电层的表面制备第三透明导电层；然后在第二透明导电层表面制备第四透明导电层。4.如权利要求2或3所述的异质结电池的制备方法，其特征在于：第一透明导电层的功函数在4.6
‑
4.8eV之间。5.如权利要求2或3所述的异质结电池的制备方法，其特征在于：第一透明导电层的载流子浓度大于3
×
10
20
/cm3。6.如权利要求2或3所述的异质结电池的制备方法，其特征在于：第一透明导电层的厚度均在5
‑
15nm之间。7.如权利要求2或3所述的异质结电池的制备方法，其特征在于：所述第一透明导电层采用镀膜设备完成，所述镀膜设备设有沉积第一透明导电层的第一反应腔，第...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚铮，崔巍，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：