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本发明涉及一种异质结电池的制备方法及镀膜设备,其中，制备方法包括：获取分别在硅基底两侧表面形成N型掺杂非晶硅层、P型掺杂非晶硅层的半成品电池；先在P型掺杂非晶硅层表面制备第一透明导电层；然后在N型掺杂非晶硅层外侧制备第二透明导电层。通过上述...
该专利属于嘉兴阿特斯技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴阿特斯技术研究院有限公司授权不得商用。

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