异质结太阳能电池的制备方法及镀膜设备技术

本发明专利技术提供一种异质结太阳能电池的制备方法及镀膜设备，所述异质结太阳能电池的制备方法包括如下步骤：在硅基的一侧沉积本征非晶硅层；其特征在于，所述异质结太阳能电池的制备方法还包括退火，所述退火在沉积部分所述本征非晶硅层后和/或沉积所述本征非晶硅后。本发明专利技术通过对部分本征层或全部本征层进行退火，提高了本征层的钝化效果。提高了本征层的钝化效果。提高了本征层的钝化效果。

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池的制备方法及镀膜设备


[0001]本专利技术涉及光伏领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池的制备方法及镀膜设备。

技术介绍

[0002]异质结电池(HJT电池)，是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型异质结太阳能电池，通常为双面电池。在高产能通道式PECVD设备需要提升产能，一种方式是缩短硅片在每个腔体内停留时间，并结合更高的沉积速率制备预期的膜层。但是缩短停留时间导致各个工艺的时间缩短，可能对某些膜层的功能有所弱化；而提高镀膜功率，可能会对部分膜层造成损伤；高产能下制备的电池效率低于低产能状态。
[0003]有鉴于此，有必要提供一种改进的异质结太阳能电池的制备方法及镀膜设备，以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种异质结太阳能电池的制备方法。
[0005]为解决上述技术问题之一，本专利技术采用如下技术方案：
[0006]一种异质结太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在硅基的一侧沉积本征非晶硅层；在沉积部分所述本征非晶硅层后退火，和/或在沉积所述本征非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在硅基的一侧沉积本征非晶硅层；其特征在于，所述异质结太阳能电池的制备方法还包括：在沉积部分所述本征非晶硅层后退火，和/或在沉积所述本征非晶硅后退火。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述退火过程为：温度160℃～220℃，时间20s～60s。3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：沉积本征非晶硅层包括：使用纯硅烷(SiH4)沉积本征过渡层；使用SiH4:H2沉积本征钝化层；在沉积所述本征过渡层和/或所述本征钝化层后退火。4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：沉积所述本征过渡层时，镀膜功率35mW/cm2～50mW/cm2；沉积所述本征钝化层时，SiH4:H2＝1:1～1:10，压力65Pa～90Pa，镀膜功率10mW/cm2～50mW/cm2。5.根据权利要求1～4任意一项所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：还包括采用相同的工艺在硅基的另一侧沉积本征非晶硅层。6.一种镀膜设备，包括本征层镀膜腔，其特征在于：所述本征层镀膜腔包括本征过渡层镀膜腔、位于所述本征过渡层镀膜腔后的本征钝化层镀膜腔；所述镀膜设备还包括退火腔，所述退火腔位于所述本征过渡层镀膜腔和/或所述本征钝化层镀膜腔后。7.根据权利要求6所述的镀膜设备，其特征在于：所述退火腔内设有加热装置或保温装置，维持硅基温度在160℃～220℃。8.根据权利要求6所述的镀膜设备，其特征在于：所述镀膜设备还包括调节所述退火腔真空度的抽真空系统。9.根据权利要求6所述的镀膜设备，其特征在于：所述镀膜设备还包括用以向所述退火腔注入惰性气体的注气系统。10.根据权利要求6～9任意一项所述的镀膜设备，其特征在于：所述镀膜设...

【专利技术属性】
技术研发人员：张达奇，陈曦，吴坚，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：