异质结电池的制备方法及成膜设备技术

本发明专利技术涉及异质结电池技术领域，具体提供一种异质结电池的制备方法及成膜设备。异质结电池的制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；以第一温度范围，分别在第一表面形成第一非晶半导体层，在第二表面形成第二非晶半导体层，得到中间结构；对中间结构进行加热使中间结构位于第二温度范围，并在加热的过程中对中间结构进行光注入处理，第一温度范围与第二温度范围相同；在进行光注入处理后，在第一非晶半导体层表面形成第一透明导电层，在第二非晶半导体层表面形成第二透明导电层。上述制备方法能够有效提高异质结电池的效率；同时提高能量利用率，简化工艺流程，提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
异质结电池的制备方法及成膜设备


[0001]本专利技术涉及异质结电池
，具体涉及一种异质结电池的制备方法及成膜设备。

技术介绍

[0002]太阳能电池是将太阳能直接转化成电能的装置。晶体硅太阳能电池作为光伏电池行业的主流，占据80%以上的市场。晶体硅太阳能电池包含P型层和N型扩散区，交界区形成P
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N结。当光线照射到晶体硅表面时，一部分光子被晶体硅材料吸收，光子的能量传递给硅原子，使电子发生跃迁，成为自由电子并在P
‑
N结两侧聚集，产生电位差。当外部接通电路时，在该电位差的作用下，将有电流流过外部电路产生一定的输出功率。异质结电池是一种高效晶硅电池，其具有对称结构，转换效率高、衰减低、低温度系数、高双面率等优点。
[0003]异质结电池的生产工艺通常包括以下四步：对单晶硅衬底进行清洗制绒；在单晶硅衬底的正面和背面形成非晶硅膜；在单晶硅衬底的正面和背面形成透明导电层，透明导电层位于非晶硅膜背离单晶硅衬底的一侧表面；在单晶硅衬底的正面和背面形成栅线，栅线位于透明导电层背离单晶硅衬底的一侧表面。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；以第一温度范围，分别在所述第一表面形成第一非晶半导体层，在所述第二表面形成第二非晶半导体层，得到中间结构；对所述中间结构进行加热使所述中间结构位于第二温度范围，并在加热的过程中，对所述中间结构进行光注入处理，所述第一温度范围与所述第二温度范围相同；在进行所述光注入处理后，在所述第一非晶半导体层背离所述半导体衬底的一侧表面形成第一透明导电层，在所述第二非晶半导体层背离所述半导体衬底的一侧表面形成第二透明导电层。2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，在对所述中间结构进行光注入处理的过程中，照射在所述中间结构上的光的波长为600nm~750nm；照射在所述中间结构上的光的强度为20kW/m2~40kW/m2；所述光注入处理的时间为50s~70s。3.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述第一温度范围和所述第二温度范围均为150℃~210℃。4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一非晶半导体层、所述第二非晶半导体层的工艺包括等离子体增强化学气相沉积工艺；所述半导体衬底的材料包括单晶硅，所述第一非晶半导体层、所述第二非晶半导体层的材料包括非晶硅。5.根据权利要求1至4任一项所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一透...

【专利技术属性】
技术研发人员：马文龙，张鑫，陈志，袁宁新，辛科，
申请(专利权)人：安徽华晟新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：