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本发明提供了一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，基于本发明所提供的异质结太阳能电池的制备方法，在制作硅衬底受光面的第一本征钝化膜时，由于氧化非晶硅层外沉积有本征非晶硅保护层，在采用H2进行等离子体处理的过程中，本征非晶硅保护层...
该专利属于嘉兴阿特斯技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴阿特斯技术研究院有限公司授权不得商用。

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