光电微装置制造方法及图纸

本公开涉及衬底上的可释放并且转移到系统衬底的微装置的开发。本公开进一步涉及用以集成锚以将微装置固定到衬底的方法。该微装置相对于锚、释放层、缓冲层和衬底处于不同配置中。中。中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电微装置


[0001]本专利技术涉及衬底上的可释放并且转移到系统衬底的微装置的开发。

技术实现思路

[0002]本专利技术涉及一种用以集成锚以用于将微装置固定到衬底的方法，所述方法包括：在第一衬底上形成至少一个微装置；在远离第一衬底的顶侧上的微装置上具有衬垫；通过钝化层覆盖微装置；以及利用保护层覆盖微装置。
[0003]在另一相关实施方案中，本专利技术涉及一种用以转移光电微装置的方法，所述方法包括：在衬底上具有微装置；通过第一释放层覆盖面向衬底的第一微装置的至少一部分；以及具有锚以将微装置固定到衬底。
[0004]在另一实施方案中，本专利技术涉及一种用以集成锚以用于将微装置固定到衬底的方法，所述方法包括：在每一微装置周围形成至少两个锚；以及使邻近微装置的锚偏移。此处，可在每一微装置下方形成释放层。
[0005]在另一实施方案中，本专利技术涉及一种用以集成锚以将微装置固定到衬底的方法，所述方法包括：具有结构，所述结构具有微装置、载物台、释放层和锚；利用释放层将微装置耦合到载物台；利用锚定层覆盖微装置的表面的部分和载物台；以及在衬底上具有结构。
[0006]在另一实施方案中，本专利技术涉及一种用以集成锚以将微装置固定到衬底的方法，所述方法包括：在衬底的顶部上形成锚；利用释放层将锚的至少一部分与衬底分离；以及利用接合剂将微装置耦合到锚。
附图说明
[0007]在阅读以下详细描述之后并且在参考图式之后，本公开案的前述和其它优势将变得显而易见。
[0008]图1A绘示填充层中具有不同锚的微装置的横截面图。
[0009]图1B绘示在后处理填充层之后的微装置的横截面图。
[0010]图1C绘示图1B的微装置的俯视图。
[0011]图1D绘示用于将微装置转移到另一衬底的转移步骤的横截面图。
[0012]图1E绘示转移到衬底的微装置的横截面图。
[0013]图2A示出衬底上的微装置和覆盖微装置的部分的释放层。
[0014]图2B示出在释放层去活化或移除之后经由锚将装置固定到衬底。
[0015]图2C示出从微装置移除第一衬底和缓冲层。
[0016]图2D示出经沉积并且图案化的释放层。
[0017]图3A示出偏移锚的情况。
[0018]图3B示出偏移锚的另一情况。
[0019]图4A示出形成于载物台的顶部上的微装置。
[0020]图4B示出图4A中的结构的俯视图。
[0021]图5A示出锚形成于衬底的顶部上。
[0022]图5B示出图5A的示例的俯视图。
[0023]图5C示出锚的主要部分和释放层位于微装置下方的位置。
[0024]本公开案容易具有各种修改和替代形式，在图式中已借助于示例示出特定实施方案或实施方式并且将在本文中详细描述。然而，应理解，本公开案并不意欲限制于所公开的特定形式。相反，本公开案将涵盖属于如由随附权利要求书界定的本专利技术的精神和范围内的所有修改、等效物和替代例。
具体实施方式
[0025]在本说明书中，术语
″
装置
″
与
″
微装置
″
可互换使用。然而，所属领域的技术人员显而易见，此处所描述的实施方案与装置大小无关。
[0026]微装置可为微型LED、OLED、微型传感器、MEM和任何其它类型的装置。
[0027]在一个相关实施方案中，载物台形成于施体衬底上，并且微装置经由粘着剂或释放层耦合到载物台。锚可暂时将微装置固定到载物台。施体衬底可与接受衬底对准，并且将一组选定微装置接合到接受衬底。移走施体和接受衬底，并且将一组选定微装置转移到接受衬底。此处，粘着剂、释放层或锚定力弱于微装置与接受衬底的接合。
[0028]在图1A中所示出的另一实施方案中，于如上文所描述的施体衬底110上开发台面结构，其中微装置结构通过蚀刻穿过不同层，例如第一底部导电层112、例如发光层的功能层114和第二顶部导电层116而形成。顶部接触垫132可在蚀刻之前或之后沉积于顶部导电层116的顶部上。此外，每一微装置可包括包围每一微装置以供隔离和/或保护的其它钝化层和/或MIS层172。在此实施方案中，装置可设置有不同锚，由此在装置剥离之后，锚将装置固定到施体衬底110。所述剥离可通过激光进行。在一示例中，仅装置通过激光扫描。在一实施方案中，可使用仅在施体衬底110的背面具有用于装置的开口的遮罩以阻挡来自另一区域的激光。遮罩可为单独的，或为施体衬底110的部分。在另一情况下，可在剥离工艺之前将另一衬底连接到装置以固定装置。在另一情况下，例如电介质的填充层174可用于装置之间。
[0029]在第一所说明情况下，提供层192以将装置固定到施体衬底110。层192可为单独的层，或为在开发台面结构期间未经蚀刻的微装置的所述层的部分。在另一情况下，层192可为层172中的一个层的延续部分。在此情况下，层192可为金属或介电层(SiN或SiO2，或其它材料)。在另一情况下，锚开发为包括延伸部194、空隙/间隙196和/或桥接器198的单独结构。此处，牺牲层经沉积并且图案化而具有与间隙/空隙196相同的形状。接着，锚定层经沉积并且图案化以形成桥接器198和/或延伸部194。可稍后移除牺牲材料以产生空隙/间隙196。我们还可避免延伸部194。类似于先前锚192，另一锚可由不同结构层制成。在另一情况下，填充层174充当锚。在此情况下，填充层174可经蚀刻或图案化或保持原样。
[0030]图1B绘示在移除填充层174和/或蚀刻填充层以产生锚之后的样品。在另一情况下，在剥离之后，桥接层198的粘着力足以将装置固定在适当位置并且充当锚。最终装置位于衬底110的右侧。此处，在剥离之后，一些残余物可能保持于充当粘着剂桥接层198的装置下方。
[0031]图1B仅出于绘示的目的示出一个衬底110。我们可在衬底中使用其中的一者或组
合。
[0032]如图1C中所示出，锚可覆盖装置的至少一部分或整个外围，或可经图案化以形成臂194和192。所述结构中的任一结构可用于锚结构中的任一锚结构。
[0033]图1D绘示将装置转移到接受衬底190的一个示例。此处，微装置接合到衬垫182，或放置于不具有任何衬垫的预定义区域中。压力或分离力可通过中断所述力而释放锚。在另一情况下，温度也可用于释放锚。微装置的剥离与施体衬底110之间的层的粘度可通过控制温度而增加以充当锚。图1E绘示转移到接受衬底190之后的装置，并且示出锚中的可能释放点198
‑
2。锚还可直接连接到施体衬底110或经由其它层间接连接到施体衬底110。
[0034]施体衬底上的装置可开发为在背离施体衬底110的同一侧上具有两个接触件。在一种情况下，装置可直接从施体衬底110转移到接受衬底190。此处，背离施体衬底110的同一侧上的接触件可直接接合到接受衬底衬垫182。装置可在施体110中或在盒衬底中测试。在另一实施方案中，装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用以集成锚以用于将微装置固定到衬底的方法，所述方法包括：在第一衬底上形成至少一个微装置；在远离所述第一衬底的顶侧上的所述微装置上具有衬垫；通过钝化层覆盖微装置；以及利用保护层覆盖所述微装置。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层的部分经图案化以形成第一和第二锚。3.根据权利要求2所述的方法，其中空隙结构形成于所述锚的一部分下方。4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述微装置与所述第一衬底之间存在缓冲层。5.根据权利要求3所述的方法，其中所述微装置使用接合层和平坦化层接合到第二衬底。6.根据权利要求5所述的方法，其中移除所述第一衬底和所述缓冲器，并且沉积第三锚定层。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第三锚为电介质或金属。8.根据权利要求6所述的方法，其中释放层沉积于所述微装置上并且经图案化。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述释放层至少从微装置边缘的一部分延伸。10.根据权利要求6所述的方法，其中所述第三锚定层为多个层的组合。11.根据权利要求6所述的方法，其中所述第三锚定层在例如温度、电偏置或光的不同条件下改变以向前推动所述微装置。12.根据权利要求6所述的方法，其中所述微装置在底侧上具有衬垫并且还具有钝化层。13.根据权利要求8所述的方法，其中所述微装置接合到第三衬底并且从所述第二衬底移除。14.根据权利要求13所述的方法，其中移除所述平坦化层和第一接合层，并且图案化所述锚。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述微装置在所述释放层的移除期间通过第二保护层覆盖。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二保护层为光致抗蚀剂。17.一种用以转移光电微装置的方法，所述方法包括：在衬底上具有微装置；通过第一释放层覆盖面向所述衬底的第一微装置的至少一部分；以及具有锚以将所述微装置固定到所述衬底。18.根据权利要求17所述的方法，其中在所述衬底与所述微装置之间存在缓冲层。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述锚固定所述微装置以固定到所述衬底或所述缓冲层。20.根据权利要求19所述的方法，其中所述锚形成为覆盖所述微装置的至少部分的层的延伸部，并且未由所述释放层覆盖的所述锚的一部分耦合到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：格拉姆雷扎，
申请(专利权)人：维耶尔公司，
类型：发明
国别省市：