纠错码（ECC）解码的方法和执行该方法的存储器系统技术方案

公开了纠错码(ECC)解码的方法和执行该方法的存储器系统。在纠错码(ECC)解码的方法中，基于正常读取电压从非易失性存储器装置读取正常读取数据，并且对所述正常读取数据执行第一ECC解码。当第一ECC解码失败时，基于与阈值电压的翻转范围对应的翻转读取电压从非易失性存储器装置读取翻转读取数据。通过对所述正常读取数据的位之中的包括在所述翻转范围中的错误候选位进行反转，基于所述翻转读取数据生成纠正后的读取数据，并且对所述纠正后的读取数据执行第二ECC解码。当基于所述正常读取数据的ECC解码失败时，可通过重试基于所述纠正后的读取数据的ECC解码来增强纠错能力。正后的读取数据的ECC解码来增强纠错能力。正后的读取数据的ECC解码来增强纠错能力。

【技术实现步骤摘要】
纠错码(ECC)解码的方法和执行该方法的存储器系统
[0001]本专利申请要求于2021年12月15日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10
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2021
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0179715号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]示例实施例总体涉及半导体集成电路，更具体地，涉及纠错码(ECC)解码的方法和执行该方法的存储器系统。

技术介绍

[0003]存储器装置(诸如，闪存装置、电阻式存储器装置等)可根据多个阈值电压分布或多个电阻分布存储数据，其中，每个相应的阈值电压分布或电阻分布被分配给对应的逻辑状态用于存储的数据。可通过当预定的读取电压被施加时确定存储器单元是导通还是截止来读取通过存储器单元存储的数据。在存储器单元的编程期间(和/或之后)，存储器单元的预期的阈值电压分布或电阻分布可能由于包括例如电荷泄漏、编程干扰、读取干扰、字线和/或位线耦合、温度变化、电压变化、存储器单元的劣化等的许多事件或条件而不期望地出现失真。例如，预期的阈值电压分布或电阻分布可能偏移和/或加宽并导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制非易失性存储器装置的存储器控制器的纠错码ECC解码的方法，所述方法包括：基于正常读取电压从非易失性存储器装置读取正常读取数据；对所述正常读取数据执行第一ECC解码；当第一ECC解码失败时，基于与阈值电压的翻转范围对应的翻转读取电压从非易失性存储器装置读取翻转读取数据；通过对所述正常读取数据的位之中的包括在所述翻转范围中的错误候选位进行反转，基于所述翻转读取数据生成纠正后的读取数据；以及对所述纠正后的读取数据执行第二ECC解码。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：基于分布数据设置所述翻转范围，其中，所述分布数据指示非易失性存储器装置的保持特性的劣化程度。3.根据权利要求2所述的方法，其中，设置所述翻转范围的步骤包括：基于所述分布数据设置所述翻转范围的位置和大小中的至少一个。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述正常读取数据包括硬判决数据，所述硬判决数据基于包括在所述正常读取电压中的硬判决读取电压被读取并且指示存储在非易失性存储器装置中的数据，并且其中，生成所述纠正后的读取数据的步骤包括：通过对所述硬判决数据的位之中的包括在所述翻转范围中的所述错误候选位进行反转，基于所述翻转读取数据来生成所述纠正后的硬判决数据。5.根据权利要求4所述的方法，其中，读取所述翻转读取数据的步骤包括：基于高于所述硬判决读取电压的高翻转读取电压来读取高翻转读取数据，并且其中，生成所述纠正后的硬判决数据的步骤包括：对所述硬判决数据和所述高翻转读取数据执行逐位逻辑运算；以及对所述错误候选位进行反转以生成所述纠正后的硬判决数据，其中，所述错误候选位被包括在所述硬判决读取电压与所述高翻转读取电压之间的所述翻转范围中。6.根据权利要求4所述的方法，其中，读取所述翻转读取数据的步骤包括：基于低于所述硬判决读取电压的低翻转读取电压来读取低翻转读取数据，并且其中，生成所述纠正后的硬判决数据的步骤包括：对所述硬判决数据和所述低翻转读取数据执行逐位逻辑运算；以及对所述错误候选位进行反转以生成所述纠正后的硬判决数据，其中，所述错误候选位被包括在所述硬判决读取电压与所述低翻转读取电压之间的所述翻转范围中。7.根据权利要求4所述的方法，其中，读取所述翻转读取数据的步骤包括：基于高于所述硬判决读取电压的高翻转读取电压来读取高翻转读取数据；以及基于低于所述硬判决读取电压的低翻转读取电压来读取低翻转读取数据。8.根据权利要求7所述的方法，其中，生成所述纠正后的硬判决数据的步骤包括：对所述硬判决数据和所述高翻转读取数据执行第一逐位逻辑运算，并且对所述硬判决数据和所述低翻转读取数据执行第二逐位逻辑运算；以及对所述错误候选位进行反转以生成所述纠正后的硬判决数据，其中，所述错误候选位
被包括在所述硬判决读取电压与所述高翻转读取电压之间的高翻转范围以及所述硬判决读取电压与所述低翻转读取电压之间的低翻转范围中。9.根据权利要求7所述的方法，还包括：基于分布数据设置所述高翻转读取电压和所述低翻转读取电压，其中，所述分布数据指示非易失性存储器装置的保持特性的劣化程度。10.根据权利要求4所述的方法，还包括：基于分布数据设置多个翻转范围，其中，所述分布数据指示非易失性存储器装置的保持特性的劣化程度；顺序地生成分别与所述多个翻转范围对应的多个纠正后的数据中的每个，以对所述多个纠正后的数据中的每个顺序地执行第二ECC解码，直到对所述多个纠正后的数据中的一个的第二ECC解码成功为止。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：基于所述分布数据确定生成分别与所述多个翻转范围对应的所述多个纠正后的数据的次序。12.根据权利要求4所述的方法，其中，所述纠正后的硬判决数据基于以下逐位逻辑运算被生成，HD'[i]＝HD[i]XOR～FD[i]，其中，HD'[i]指示所述纠正后的硬判决数据的第i个位，HD[i]指示所述硬判决数据的第i...

【专利技术属性】
技术研发人员：李岗，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：