【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于发光二极管的保护层
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求以专利技术人Meyer等人和申请人Lumileds LLC的名义于2020年10月8日提交的标题为“用于发光二极管的保护层”的美国非临时申请第17/066278号的优先权，所述申请通过引用并入本文，如同以其全部内容阐述一样。
[0003]本专利技术总体上涉及发光二极管和磷光体转换发光二极管。
技术介绍
[0004]半导体发光二极管和激光二极管(在本文中统称为“LED”)是当前可用的最有效的光源之一。LED的发射光谱通常在由该器件的结构和由其构成的半导体材料的组分所确定的波长处表现出单一的窄峰。通过合适地选择器件结构和材料体系，LED可以被设计为在紫外、可见、或红外波长处来操作。
[0005]LED可以与吸收由LED发射的光并作为响应发射更长波长的光的一种或多种波长转换材料(在本文中一般称为“磷光体”)组合。对于这种磷光体转换LED(“pcLED”)，由LED发射的被磷光体吸收的光的份额取决于由LED发射的光在光路上的磷光体材料的量，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：(a)一个或多个半导体发光二极管，每个半导体发光二极管具有相应的光输出表面；(b)相应颗粒层，其位于每个光输出表面之上，并且包含大量光学散射或发光颗粒和涂覆大量颗粒的透明材料薄涂层，所述大量光学散射或发光颗粒的特征在于D50大于约0.10μm且小于约20μm，所述涂层具有小于约0.30μm的厚度；和(c)相应的透明保护层，其位于每个光输出表面和相应颗粒层之间并与每个光输出表面和相应颗粒层接触，保护层的厚度小于约0.07μm并且包括不同于涂层材料的一种或多种材料。2.根据权利要求1所述的装置，其中：(i)每个保护层的材料包括一种或多种金属或半导体氧化物，(ii)所述涂层包括一种或多种金属或半导体氧化物，以及(iii)每个保护层的材料的特征在于一种或多种氧化物前驱体反应性相对于相应的光输出表面小于表征涂层材料的这种氧化物前驱体反应性。3.根据权利要求2所述的装置，其中：(i)所述保护层的材料包括从由HfO2、SiO2、Ga2O3、GeO2、SnO2、CrO2、Nb2O5、TiO2、Ta2O5、V2O5、Y2O3和ZrO2组成的组中选择的一种或多种材料，(ii)所述涂层的材料包括从由Al2O3、HfO2、SiO2、Ga2O3、GeO2、SnO2、CrO2、Nb2O5、TiO2、Ta2O5、V2O5、Y2O3和ZrO2组成的组中选择的一种或多种材料，和(iii)每个光输出表面是GaN、AlN、AlGaN合金、GaP、AlGaP或AlInGaP合金材料表面。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述保护层包括HfO2，并且所述涂层包括Al2O3。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个半导体发光二极管形成具有相应的光输出表面的半导体发光二极管阵列，每个发光二极管(i)具有小于约1.0毫米的横向尺寸，并且(ii)与所述阵列的相邻发光二极管分开小于约0.10毫米。6.根据权利要求1所述的装置，其中每个发光二极管具有小于约5μm厚的n型掺杂层、有源层和p型掺杂层的组合厚度。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述大量颗粒包括发光颗粒，并且每个颗粒层形成相应发光二极管的相应磷光体波长转换层。8.根据权利要求1所述的装置，还包括位于相应颗粒层上并与相应颗粒层接触的相应磷光体波长转换层，每个颗粒层将相应波长转换层粘附到相应保护层。9.根据权利要求1所述的装置，其中所述涂层材料的折射率与每个光输出表面的折射率匹配或近似匹配。10.一种方法，包括：(A)在一个或多个半导体发光二极管中的每一个的相应的光输出表面上形成与每个光输出表面接触的相应的透明保护层，保护层的厚度小于约0.07μm；以及(B)在每个光输出表面上的相应保护层上形成位于相应保护层上并与相应保护层接触的相应颗粒层，每个保护层包括大量光学散射或发光颗粒和涂覆大量颗粒的透明材料薄涂层，所述大量光学散射或发光颗粒的特征在于D50大于约0.10μm且小于约20μm，所述涂层具有小于约0.30μm的...
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