一种分层封装全光谱发光装置及其封装工艺制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种分层封装全光谱发光装置及其封装工艺，属于LED发光技术领域。所述分层封装全光谱发光装置包括激发光源和荧光层，所述荧光层由荧光体和封装胶组合而成，所述荧光体包括第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体和第四荧光体；第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体和第四荧光体的质量比为：(5％

【技术实现步骤摘要】
一种分层封装全光谱发光装置及其封装工艺


[0001]本专利技术属于LED发光
，具体涉及一种分层封装全光谱发光装置及其封装工艺。

技术介绍

[0002]近年来，GaN基白光发光二极管(LED)的发展受到了很大的关注。由于它具有高效节能、绿色环保、体积小和寿命长等优点被誉为继白炽灯、荧光灯、气体放电灯之后的第四代照明光源。尤其最近白光LED在发光效率、使用寿命、亮度等方面都取得了很大的进步。
[0003]白光LED的制备方法主要是利用蓝光LED芯片与Ga
‑
YAG黄绿粉搭配氮化物红粉，补充光谱中缺少的黄绿色和红色部分，显色指数得到了很大的提高，但是此方案对于R12深蓝色部分提升幅度不大，无法满足全光谱的应用需求。
[0004]BaSi2O2N2:Eu
2+
荧光体搭配Ga
‑
YAG黄绿粉搭配氮化物红粉方案，对于提升显色指数尤其是R12的数值有明显效果，此方案虽然能满足R1
‑
R15均大于90的要求，但发光效率偏低，且老化性能有待提高。<br/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分层封装全光谱发光装置，包括激发光源和荧光层，所述荧光层由荧光体和封装胶组合而成，其特征在于，所述荧光体包括第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体和第四荧光体；所述第一荧光体，化学式为M11‑
x1
Si2O2N2:x1Eu，其中M1为Ca、Sr和Ba中的至少一种，0.001≤x1≤0.05；所述第二荧光体，化学式为M23‑
x2
M35O
12
:x2Ce，其中M2为Y和Lu中的至少一种，M3为Al和Ga中的至少一种，0.001≤x2≤0.1；所述第三荧光体，化学式为M41‑
x3
AlSiN3:x3Eu，其中M4为Ca、Sr和Ba中的至少一种，0.001≤x3≤0.1；所述第四荧光体，化学式为K2‑
x4
SiF6:x4Eu，0.001≤x4≤0.05；第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体和第四荧光体的质量比为：(5％
‑
40％)：(30％
‑
90％)：(1％
‑
10％)：(10％
‑
30％)；所述荧光层包括下荧光层和上荧光层，上荧光层设置在下荧光层上方；所述下荧光层中的荧光体包括第三荧光体和第四荧光体，所述上荧光层中的荧光体包括第一荧光体和第二荧光体。2.根据权利要求1所述分层封装全光谱发光装置，其特征在于，所述上荧光层由第三荧光层、第四荧光层组成，第...

【专利技术属性】
技术研发人员：何锦华，梁超，滕晓明，徐俊峰，
申请(专利权)人：江苏诚睿达光电有限公司，
类型：发明
国别省市：