基于量子点的复合光转换结构、其制作方法及应用技术

本申请公开了一种基于量子点的复合光转换结构、其制作方法及应用。所述复合光转换结构包括透光基板、多个光转换结构、挡光层、无机封装层、有机封装层等。多个所述光转换结构间隔设置，每一光转换结构包括依次叠设在透光基板表面的滤光层和光转换层，至少一光转换层包含有量子点。所述挡光层包括挡光结构，用于阻止光在相邻光转换结构之间传输。所述无机封装层连续覆设在光转换层和挡光层上。所述有机封装层连续覆设在无机封装层上。利用本申请的方案，可以进一步降低水氧等因素对量子点集成微LED全彩显示装置工作性能的影响，保障和提高其工作品质，延长其使用寿命，并降低其制作工艺难度。艺难度。艺难度。

【技术实现步骤摘要】
基于量子点的复合光转换结构、其制作方法及应用


[0001]本申请涉及一种应用于半导体发光装置的光转换结构，特别涉及一种基于量子点的复合光转换结构、其制作方法及应用，例如在制备微LED显示装置中的应用。

技术介绍

[0002]微LED显示技术是指以自发光的微纳米量级的Micro LED或Mini LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术，其相较于LCD、OLED显示技术等，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有明显优势。
[0003]在微LED显示技术的发展过程中，初期的研究工作多集中于红光、蓝绿光和紫外光等单色显示装置的结构、制作工艺、器件特性等方面。随着对微LED显示装置应用需求的日益迫切，全彩色微LED显示技术逐渐成了研究热点。
[0004]目前，全彩色微LED显示技术主要有三色集成全彩色微LED显示技术、量子点集成微LED全彩显示技术，以及三色合成微LED投影全彩显示技术。其中，量子点集成微LED全彩显示技术是以具有不同波长转换能力的量子点制备色转换层，使色转换本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于量子点的复合光转换结构，其特征在于包括：透光基板，其表面具有第一区域；多个光转换结构，多个所述光转换结构间隔分布在所述透光基板表面的第一区域上，每一光转换结构包括依次叠设在透光基板表面的滤光层和光转换层，并且至少一个光转换层包含有量子点，用于对透过滤光层的入射光进行波长转换；挡光层，包括第一挡光结构，所述第一挡光结构至少设置于相邻光转换结构之间，并至少用于阻断光在相邻光转换结构之间的传输路径；第一无机封装层，其至少连续覆设在所述光转换层和挡光层上；有机封装层，其至少连续覆设在所述第一无机封装层上。2.根据权利要求1所述的基于量子点的复合光转换结构，其特征在于：所述光转换结构中滤光层在透光基板表面的正投影覆盖光转换层在透光基板表面的正投影；和/或，每一光转换结构的侧壁均与第一挡光结构紧密贴合；和/或，所述挡光层的表面与光转换层的表面平齐或高于光转换层的表面。3.根据权利要求1所述的基于量子点的复合光转换结构，其特征在于：所述透光基板的表面还具有第二区域，所述第二区域围绕第一区域设置，所述挡光层还包括第二挡光结构，所述第二挡光结构分布在所述透光基板表面的第二区域上。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的基于量子点的复合光转换结构，其特征在于：所述第一无机封装层连续覆盖光转换层、挡光层以及透光基板表面未被光转换层和挡光层覆盖的其余区域。5.根据权利要求3所述的基于量子点的复合光转换结构，其特征在于：所述有机封装层连续延伸并将光转换层和第一挡光结构完全掩盖，但不与第二挡光结构接触；和/或，所述第二挡光结构与第一挡光结构的间距大于或等于5μm。6.根据权利要求1所述的基于量子点的复合光转换结构，其特征在于：所述复合光转换结构还包括第二无机封装层，所述第二无机封装层连续覆盖光转换层、挡光层及透光基板表面未被光转换层和挡光层覆盖的其余区域；和/或，所述复合光转换结构还包括键合层，所述键合层覆设在有机封装层上。7.根据权利要求1所述的基于量子点的复合光转换结构，其特征在于：所述滤光层的厚度为1～3μm；和/或，所述光转换层的厚度为5～20μm；和/或，所述挡光层的厚度为5～20μm；和/或，所述第一无机封装层的厚度为0.01～2μm；和/或，所述有机封装层的厚度为2～10μm；和/或，所述挡光层包括黑色矩阵层；和/或，所述第一无机封装层的材质包括SiO2、Si3N4、Al2O3、AlN、TiO2或HfO2；和/或，所述透光基板包括蓝宝石基板或玻璃基板；和/或，所述键合层、有机封装层的材质选自透光有机材料。8.根据权利要求6所述的基于量子点的复合光转换结构，其特征在于：所述键合层的厚度为1～3μm；和/或，所述第二无机封装层的厚度为0.01～2μm；和/或，所述第二无机封装层的材质...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾杨，
申请(专利权)人：苏州易芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：