多晶硅还原硅芯组件、还原设备及硅芯组件升温方法技术

一种多晶硅还原硅芯组件，包括第一硅芯、第二硅芯、横梁硅芯，所述第一硅芯、第二硅芯的下端用于与电极连接，第一硅芯的上部设置第一连接面，第二硅芯的上部设置第二连接面，在横梁硅芯的两端开设两个内腔，内腔具有圆形底部，用于插入第一硅芯、第二硅芯上端连接面，第一连接面的圆形底边的外部还设置四个扇形平面，用于与横梁硅芯面面接触，且横梁硅芯的下表面与四个扇形平面之间形成四个扇形接触面，同时第一连接面的圆形底边与扇形平面形成四个切点，本发明专利技术相邻硅芯的搭接方式设置多个点接触方式以及增加多个扇形接触面的方式，利用点接触缩短击穿时间，利用增大接触面的方式降低接触电阻，加快电流回路快速形成。加快电流回路快速形成。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅还原硅芯组件、还原设备及硅芯组件升温方法


[0001]本专利技术涉及光伏产业用多晶硅生产
，尤其涉及多晶硅还原硅芯组件、还原设备及硅芯组件升温方法。

技术介绍

[0002]光伏组件使用的主要原材料为单晶硅，单晶硅是由多晶硅提纯制备，多晶硅的生产显得尤为重要。现有生产厂家中，多数采用还原炉生产多晶硅。还原反应中，采用原料为氢气和三氯氢硅气相混合物进入还原炉内，控制炉内温度，使二者发生反应，通过氢气将三氯氢硅中的硅单质还原出来，还原得到的单质硅为硅粉，附着在炉内的硅芯表面，随着硅芯表面附着硅单质量越多，硅棒直径越大，形成硅棒，即多晶硅棒，破碎后即形成多晶硅料，提供至下游单晶硅厂家。
[0003]还原反应开始前，首先需要将炉内温度预热至工艺要求，例如1000℃及以上。炉内温度的提高是通过多组硅芯组件的升温来实现的。所以硅芯组件快速升温至工艺要求，能够缩短炉内升温的时间，且快速升温的过程中还要保持硅芯组件各个部位最终达到均匀温度也是必须要考虑的。现有技术中，硅芯组件多数采用U形搭接的方式来实现，而相邻硅芯之间搭接的方式各不相同，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原硅芯组件，其特征在于：包括第一硅芯、第二硅芯、横梁硅芯，且截面积均为正方形的方形硅芯，第一硅芯、第二硅芯竖直设置，横梁硅芯搭接于第一硅芯、第二硅芯之间的顶部，形成倒置“U”硅芯组件，所述第一硅芯、第二硅芯的下端用于与电极连接，第一硅芯的上部设置第一连接面，第二硅芯的上部设置第二连接面，在横梁硅芯的两端开设两个内腔，内腔具有圆形底部，用于插入第一硅芯、第二硅芯上端连接面，第一硅芯的第一连接面与横梁硅芯连接形成第一连接处，第二硅芯的第二连接面与横梁硅芯连接形成第二连接处，第一连接面和第二连接面具有圆形底边，第一连接面和第二连接面的圆形底边的直径与方形硅芯的边长相等，第一连接面的圆形底边的外部还设置四个扇形平面，用于与横梁硅芯面面接触，且横梁硅芯的下表面与四个扇形平面之间形成四个扇形接触面，同时第一连接面的圆形底边与扇形平面形成四个切点，所述四个切点与横梁硅芯的内腔底部也形成相同的四个接触点。2.如权利要求1所述的多晶硅还原硅芯组件，其特征在于：所述第一连接面、第二连接面为圆锥面，在横梁硅芯的两端开设用于插入圆锥的圆锥形内腔，圆锥的高、圆锥形内腔的高与横梁硅芯的截面边长相同，使得第一硅芯与横梁硅芯、第二硅芯与横梁硅芯之间形成圆锥面面接触及端部点接触。3.如权利要求1所述的多晶硅还原硅芯组件，其特征在于：所述横梁硅芯的两个端部上表面为弧形面。4.一种多晶硅还原设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：张延辉，周迎春，李东东，李庆尚，靳悦，马英中，杜冬，陈光明，陆小卫，马强龙，
申请(专利权)人：宁夏润阳硅材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：