消除区熔用硅棒内部应力的方法技术

本发明专利技术公开了消除区熔用硅棒内部应力的方法。该方法包括：在第一时间阶段内，将反应器中的三氯氢硅流量调节至第一流量，将反应器中的氢气流量调节至第二流量，维持区熔用硅棒的温度为第一温度；在第二时间阶段内，维持反应器中的三氯氢硅流量为第一流量，维持反应器中的氢气流量为第二流量，维持区熔用硅棒的温度为第一温度；在第三时间阶段内，将区熔用硅棒的温度调节至第二温度；在第四时间阶段内，维持区熔用硅棒的温度为第二温度；在第五时间阶段内，将区熔用硅棒的温度调节至第三温度。该方法通过同时控制反应器内的三氯氢硅流量、氢气流量以及硅棒温度，可以有效消除区熔用硅棒内部的残余应力，保证硅棒具有良好的机械性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
消除区熔用硅棒内部应力的方法


[0001]本专利技术涉及电子级多晶硅生产
，具体而言，本专利技术涉及消除区熔用硅棒内部应力的方法。

技术介绍

[0002]区熔用电子级多晶硅采用改良西门子方法生产过程中，因为其特殊的生产控制方法，导致硅棒在沉积过程中以及停炉过程中，内部极易形成塑性应力残余。这种应力若无法在硅棒停炉时消除到一定程度，极易引起硅棒内部机械损伤，甚至在停炉过程中倒棒，极大地降低了硅棒的使用效率以及机加工性能，同时在下游厂家使用过程中会因硅棒断裂而破坏区熔拉晶设备。然而，现有的消除区熔用硅棒内部应力的方法仍有待改进。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出消除区熔用硅棒内部应力的方法。该方法可以有效消除区熔用硅棒内部的残余应力，保证硅棒具有良好的机械性能，满足下游厂家对硅棒机械性能的要求。
[0004]在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种消除区熔用硅棒内部应力的方法。根据本专利技术的实施例，该方法包括：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种消除区熔用硅棒内部应力的方法，其特征在于，包括：利用三氯氢硅和氢气在反应器内沉积得到区熔用硅棒；在第一时间阶段内，将所述反应器中的三氯氢硅流量调节至第一流量，将所述反应器中的氢气流量调节至第二流量，维持所述区熔用硅棒的温度为第一温度；在第二时间阶段内，维持所述反应器中的三氯氢硅流量为第一流量，维持所述反应器中的氢气流量为第二流量，维持所述区熔用硅棒的温度为第一温度；在第三时间阶段内，维持所述反应器中的三氯氢硅流量为第一流量，维持所述反应器中的氢气流量为第二流量，将所述区熔用硅棒的温度调节至第二温度；在第四时间阶段内，维持所述反应器中的三氯氢硅流量为第一流量，维持所述反应器中的氢气流量为第二流量，维持所述区熔用硅棒的温度为第二温度；在第五时间阶段内，维持所述反应器中的三氯氢硅流量为第一流量，维持所述反应器中的氢气流量为第二流量，将所述区熔用硅棒的温度调节至第三温度。2.根据权利要求1所述的消除区熔用硅棒内部应力的方法，其特征在于，所述第一时间阶段持续的时间为60min
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180min。3.根据权利要求1所述的消除区熔用硅棒内部应力的方法，其特征在于，所述第二时间阶段持续的时间为30min
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【专利技术属性】
技术研发人员：高召帅，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：