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本发明公开了消除区熔用硅棒内部应力的方法。该方法包括：在第一时间阶段内，将反应器中的三氯氢硅流量调节至第一流量，将反应器中的氢气流量调节至第二流量，维持区熔用硅棒的温度为第一温度；在第二时间阶段内，维持反应器中的三氯氢硅流量为第一流量，维持...
该专利属于江苏鑫华半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鑫华半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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