一种高硅ZSM-5沸石的无有机胺低温水热合成方法技术

技术编号:37912183 阅读:6 留言:0更新日期:2023-06-21 22:35
本申请提供了一种高硅ZSM

【技术实现步骤摘要】
一种高硅ZSM

5沸石的无有机胺低温水热合成方法


[0001]本申请提供了一种ZSM

5沸石的低温制备方法,属于沸石分子筛合成领域。

技术介绍

[0002]沸石是微孔结晶材料,具有较高的比表面积和微孔孔容,它有规则的孔道和笼结构。同时,沸石还具有非常高的热稳定性和水热稳定性,在一些高温水热反应中能保持很好的稳定性。因此,沸石在非均相催化反应中具有广泛的应用,尤其是在石油炼制和石化产品的加工过程中,例如:催化裂化反应、加氢异构反应、催化裂解反应、临氢降凝反应等,在苯和丙烯、苯和乙烯、甲苯和甲醇、甲苯歧化等烷基化反应中也有非常多的应用。
[0003]高硅ZSM

5在干气制乙苯、丁烯裂解和甲醇制丙烯等反应过程中表现出优异的催化性能,然而,目前无有机胺合成ZSM

5的最高硅铝原子比低于50。肖老师研究团队通过乙醇辅助不添加有机胺合成了高硅和纯硅MFI沸石(CN201810175881,Angew.Chem.Int.Ed.,2019,131,12266),但该制备过程采用固相研磨法,不加入水作为溶剂(H2O/SiO2低于1.5),不易于工业放大合成。晶粒分布不均匀,且晶化温度采用170℃,能耗较高。此外,在合成高硅ZSM

5沸石时,为了使Al进入d沸石骨架,成为四配位骨架铝,必须采用额外的一步合成硅铝酸盐,以此为硅铝源来合成,这样增加了合成难度(Chin.J.Catal.,2021,42,563)。
[0004]因此,亟需开发出一种简单且易于工业放大合成的制备高硅ZSM

5分子筛的方法。

技术实现思路

[0005]根据本申请的一个方面,提供
[0006]一种高硅ZSM

5沸石的低温合成方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
[0007]将含有铝源、硅源和晶种的原料与碱、水和乙醇混合,水热晶化,烘干,得到所述ZSM

5沸石;
[0008]所述水热晶化的温度为120℃。
[0009]所述铝源选自硫酸铝,硝酸铝,氯化铝,偏铝酸钠或氧化铝中的至少一种;
[0010]所述硅源选自硅溶胶,水玻璃,硅胶或白炭黑中的至少一种;
[0011]所述晶种选自具有MFI拓扑结构的ZSM

5分子筛;
[0012]所述碱选自氢氧化钠。
[0013]所述硅源与铝源的摩尔比为200~600;
[0014]所述乙醇与硅源的摩尔比为0.2~2.4;
[0015]所述水与硅源的摩尔比为5~80;
[0016]所述碱与硅源的摩尔比为0.02~0.15;
[0017]所述硅源的摩尔量以二氧化硅的摩尔量计;
[0018]所述铝源的摩尔量以氧化铝的摩尔量计;
[0019]所述碱的摩尔量以Na2O的摩尔量计;
[0020]所述晶种的质量为硅源质量的2~20wt%;
[0021]所述硅源的质量以二氧化硅的质量计。
[0022]所述晶化的时间为12~120h。
[0023]可选地,所述SiO2/Al2O3下限选自200、300、400或500,上限选自300、400、500或600。
[0024]可选地,所述乙醇/SiO2下限选自0.2、0.4、0.8、1.2或1.6,上限选自0.4、0.8、1.2、1.6或2.4。
[0025]可选地,所述Na2O/SiO2下限选自0.02、0.04、0.08或0.12,上限选自0.04、0.08、0.12或0.15。
[0026]可选地,所述晶种加入量下限选自2wt%、4wt%、8wt%或16wt%,上限选自4wt%、8wt%、16wt%或20wt%。
[0027]可选地,所述预晶化时间下限选自12、24、48或96h,上限选自24、48h、96或120h。
[0028]根据本申请的另一个方面,提供一种ZSM

5沸石,通过上述的制备方法制备;
[0029]所述ZSM

5沸石的硅铝比(SiO2/Al2O3)为200~600。
[0030]本申请能产生的有益效果包括:
[0031]本申请所提供的高硅ZSM

5的制备方法,不添加有机胺,降低生产成本和焙烧污染物排放;晶化温度低,降低合成能耗;与最新报道的乙醇辅助合成高硅ZSM

5的方法相比(Chin.J.Catal.,2021,42,563),本方法无需采用合成硅铝酸盐作为硅源,可采用硅溶胶、硅胶、硅酸钠或白炭黑直接作为硅源。同时该文献方法报道,水硅摩尔比不能高于1.5,容易产生杂相,然而较低的水硅比不利于传质和工业放大合成。针对此,本专利技术采用的低温水热合成,避免了杂相的生成。该合成方法不受水硅比和硅源限制,具有操作简单、原料廉价易得、单釜产量高和可重复性好等特点,易于工业放大生产。
附图说明
[0032]图1为实施例1中样品的扫描电镜照片。
[0033]图2为实施例1中样品的XRD谱图。
[0034]图3为实施例1中样品的氮气物理吸附曲线。
[0035]图4为实施例2中样品的扫描电镜照片。
[0036]图5为实施例1和对比例1在异丁烯裂解反应中的催化性能。
具体实施方式
[0037]下面结合实施例详述本申请,但本申请并不局限于这些实施例。
[0038]如无特别说明,本申请的实施例中的原料均通过商业途径购买。本申请中的分析方法,若无特别说明,均采用通用的分析方法和常规的仪器设置。
[0039]本申请的实施例中分析方法如下:
[0040]所有样品的形貌和粒径大小均通过扫描电子显微镜观察而得,设备型号为Hitachi SU1510,加速电压为15kV;晶体结构是通过X射线衍射进行分析,设备型号为荷兰纳帕克生产的Empyrean

1000;通过N2物理吸脱附表征所得样品相关孔结构特征,测试设备型号为MicromeriticsASAP

2020。
[0041]实施例1
[0042]在搅拌条件下,按如下比例:将硅溶胶、硫酸铝、氢氧化钠、去离子水、乙醇和晶种按一定顺序加入反应釜中。所述原料比例为(摩尔组成):Na2O/SiO2=0.05,H2O/SiO2=20,乙醇/SiO2=2.4,SiO2/Al2O3为330。晶种加入量为10wt%。搅拌均匀后置于晶化釜中,在120℃下动态晶化48h;冷却至室温,用去离子水洗涤至中性,120℃过夜干燥得到分子筛原粉。所得样品的扫描电镜照片如附图1所示,其晶粒尺寸均一;附图2中XRD结果显示,其为典型的MFI拓扑结构,没有其它杂相;XRF结果显示其SiO2/Al2O3为310。
[0043]实施例2
[0044]在搅拌条件下,按如下比例:将硅溶胶、硫酸铝、氢氧本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高硅ZSM

5沸石的低温合成方法,其特征在于,至少包括以下步骤:将含有铝源、硅源和晶种的原料与碱、水和乙醇混合,水热晶化,烘干,得到所述ZSM

5沸石;所述水热晶化的温度为120℃。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述铝源选自硫酸铝,硝酸铝,氯化铝,偏铝酸钠或氧化铝中的至少一种;所述硅源选自硅溶胶,水玻璃,硅胶或白炭黑中的至少一种;所述晶种选自具有MFI拓扑结构的ZSM

5分子筛;所述碱选自氢氧化钠。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硅源与铝源的摩尔比为200~600;...

【专利技术属性】
技术研发人员:李俊杰岳静朱向学李秀杰谢素娟陈福存王玉忠楚卫锋刘珍妮
申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
类型:发明
国别省市:

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