【技术实现步骤摘要】
一种晶圆吸附辅助构件及晶圆吸附装置
[0001]本技术涉及半导体设备领域,具体涉及一种晶圆吸附辅助构件及晶圆吸附装置。
技术介绍
[0002]在半导体制造工序中,有许多工序需要对晶圆进行定位,常用的晶圆定位方法是采用真空吸附形式将晶圆固定于卡盘上,即卡盘内部设置抽真空气道,卡盘顶面开设吸附孔,开启抽真空设备令卡盘顶面形成负压从而将晶圆吸附于卡盘上。
[0003]对于采用Taiko减薄工艺减薄后的晶圆,晶圆背面的边缘一圈保留有Taiko环,经过Taiko减薄工艺减薄后的晶圆往往会存在一定的翘曲度,当具有Taiko环的晶圆被放置在卡盘上时,一旦覆盖吸附孔处发生翘曲则会导致真空度异常,不仅会影响到晶圆的吸附牢固度,真空数值异常报警停机也会严重影响生产效率。为了解决这一问题,有人提出在晶圆上方设置一压盘,利用压盘对晶圆下压降低吸附孔处的翘曲度,以此改善真空数值异常问题。但这种方式必须令压盘与晶圆正面接触,容易造成晶圆磨损。
技术实现思路
[0004]本技术首先公开一种晶圆吸附辅助构件,当晶圆与卡盘出现真空数值异常 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆吸附辅助构件,其特征在于:包括盘体以及能够驱动盘体移动的驱动机构,所述盘体的内部设有互相连通的气路通道,所述盘体的其中一面上开设进气孔,所述进气孔外接气源,所述盘体的另一相对面上沿所述盘体边缘的周向开设出气孔,所述进气孔与所述出气孔通过所述气路通道相连通,所述出气孔的出气方向相对于晶圆表面倾斜。2.根据权利要求1所述的一种晶圆吸附辅助构件,其特征在于:所述出气孔的出气方向与晶圆表面呈现的夹角为30
°
~45
°
。3.根据权利要求1所述的一种晶圆吸附辅助构件,其特征在于:所述盘体包括环形部及支撑部,所述支撑部位于所述环形部内部且与所述环形部相连,所述环形部与所述支撑部围合区域形成贯通所述盘体的镂空部,所述出气孔沿所述环形部间隔设置一圈,所述进气孔设置于所述支撑部上,所述气路通道设置于所述支撑部内部。4.根据权利要求3所述的一种晶圆吸附辅助构件,其特征在于:所述支撑部包括十字交叉的横向支撑筋和纵向支撑筋,所述进气孔设置于所述横向支撑筋与所述纵向支撑筋的交叉部上。5.根据权利要求3所述的一种晶圆吸附辅助构件,...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘普然,任瑞,
申请(专利权)人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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