晶片载放台制造技术

本发明专利技术提供一种晶片载放台，在不同高度的第一导电层及第二导电层经由导通部而导通的晶片载放台的基础上，使晶片的均热性变得良好。晶片载放台(10)构成为：在具有晶片载放面(12a)的陶瓷基体(12)的内部，副RF电极(21)(第一导电层)和跳线层(22)(第二导电层)植入于不同的高度，且具备将副RF电极(21)和跳线层(22)电导通的导通部(30)。导通部(30)为横向放置的线圈或带孔筒状体。线圈或带孔筒状体。线圈或带孔筒状体。

【技术实现步骤摘要】
晶片载放台


[0001]本专利技术涉及晶片载放台。

技术介绍

[0002]以往，已知有用于处理晶片的晶片载放台。作为晶片载放台，有：陶瓷加热器、静电卡盘、基座(内置有等离子体发生用的电极的基座)等。例如，专利文献1公开了：作为该晶片载放台，在具有晶片载放面的陶瓷基体的内部，自靠近晶片载放面的一方，圆板状的第一电极和外径比第一电极的外径大的环状的第二电极按与晶片载放面平行的方式植入。第一电极和第二电极经由导通部而电导通。专利文献1中，作为导通部，公开了采用了呈之字形弯曲的金属网的例子、将线圈纵向放置的例子等。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2003
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163259号公报

技术实现思路

[0006]然而，作为导通部，采用了呈之字形弯曲的金属网、纵向放置的线圈的情况下，导通部的导通路径与第一电极和第二电极之间的距离相比，相当长。若如此，则容易在导通部发热，有时对晶片的均热性带来不良影响。
[0007]本专利技术是为了解决上述课题而实施的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片载放台，其中，在具有晶片载放面的陶瓷基体的内部，第一导电层和第二导电层植入于不同的高度，且具备将所述第一导电层和所述第二导电层电导通的导通部，所述晶片载放台的特征在于，所述导通部为横向放置的线圈或带孔筒状体。2.根据权利要求1所述的晶片载放台，其特征在于，所述陶瓷基体的材料进入于所述导通部的内部空间。3.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其特征在于，所述导通部的截面形状为圆形或椭圆形。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的晶片载放台，其特征在于，所述导通部为线圈，所述第一导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：只木干也，升和宏，横野拓也，山名启太，高野谷怜音，入山暖辉，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：