一种低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构及其加工工艺制造技术

本发明专利技术提供一种低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构及其加工工艺，包括晶片，所述晶片包括支撑区、中心谐振区和减震区，所述中心谐振区位于所述支撑区的中部，所述中心谐振区的上下两端均设置有谐振电极；所述减震区与所述中心谐振区和所述支撑区相连接，所述支撑区、所述中心谐振区和所述减震区为一体式结构。通过将晶片分成能够提供谐振功能的中心谐振区、提供减震功能的减震区和提供支撑与装配功能的支撑区，使晶片具备了抗震功能，无需额外增加减震元件或结构等，不会增加抗振晶振的尺寸，同时能够降低晶振对于外部加速度的高灵敏度，提升晶振的输出性能。提升晶振的输出性能。提升晶振的输出性能。

【技术实现步骤摘要】
一种低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构及其加工工艺


[0001]本专利技术涉及晶振器件
，尤其涉及一种低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构及其加工工艺。

技术介绍

[0002]石英谐振器为石英振荡器的核心部件，它工作的原理为压电晶体的正逆压电效应，在压电晶体上下表面布置金属电极后，对两电极施加交变信号，压电晶体会由于正逆压电效应产生机械振动，当交变信号的频率等于压电材料振动的固有频率时就会产生谐振，此时的频率为谐振频率，谐振频率通过上下电极引出完成信号输出。当晶体谐振器在恶劣环境下工作时，比如在强振动、强冲击、跌落等恶劣条件下工作时会引入额外的机械振动，这部分干扰会加载到晶体谐振器产生的信号中去，造成相位噪声、频率偏移、频率稳定度恶化等。除此之外强烈的外部冲击可能会导致石英晶片产生不可逆的损伤，因此需要对晶振进行减震保护处理。
[0003]目前国内外针对晶振减震的解决办法主要有三个：
[0004]一是：进行晶振器件整体与PCB板的减震，采用一些阻尼材料、气垫、自减震套等包裹晶振，进行减震，但是，采用这种方式减震会造成整个晶振本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构，其特征在于，包括晶片，所述晶片包括：支撑区；中心谐振区，位于所述支撑区的中部，所述中心谐振区的上下两端均设置有谐振电极；减震区，所述减震区与所述中心谐振区和所述支撑区相连接，所述支撑区、所述中心谐振区和所述减震区为一体式结构。2.根据权利要求1所述的低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构，其特征在于，所述减震区包括多个减震件，多个所述减震件均匀分布在所述中心谐振区的周侧，且所述减震件与所述中心谐振区和所述支撑区连接。3.根据权利要求2所述的低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构，其特征在于，所述减震件为减震环、弯梁、减震臂中的一种或多种的组合件。4.根据权利要求1所述的低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构，其特征在于，还包括两个引出电极，两个所述谐振电极分别与两个所述引出电极连接，且两个所述引出电极沿所述减震区延伸至所述支撑区。5.根据权利要求1所述的低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构，其特征在于，所述支撑区与外部基座卡接或通过导电胶粘接...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，张琳琳，赵黎明，裴志强，王天宇，郄立伟，朱京，兰宇，张嘉懿，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：