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本发明提供一种低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构及其加工工艺，包括晶片，所述晶片包括支撑区、中心谐振区和减震区，所述中心谐振区位于所述支撑区的中部，所述中心谐振区的上下两端均设置有谐振电极；所述减震区与所述中心谐振区和所述支撑区相连接，所述...
该专利属于北京晨晶电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京晨晶电子有限公司授权不得商用。

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