显示装置和制造显示装置的方法制造方法及图纸

提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：绝缘层、发光元件和电连接到发光元件的像素电路。像素电路包括第一晶体管。第一晶体管包括：金属氧化物半导体图案，包括源区、漏区和设置在源区与漏区之间的沟道区；第一栅极，设置在金属氧化物半导体图案上，并且在平面图中与沟道区叠置；以及金属氧化物图案，设置在第一栅极上。设置在第一栅极上。设置在第一栅极上。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和制造显示装置的方法


[0001]这里公开涉及一种显示装置和用于制造该显示装置的方法，并且涉及一种具有氧化物晶体管的显示装置和用于制造该显示装置的方法。

技术介绍

[0002]显示装置可以包括像素和控制像素的驱动电路(例如，扫描驱动电路和数据驱动电路)。像素可以均包括显示元件和控制显示元件的像素电路。像素电路可以包括彼此有序(organically)连接的晶体管。
[0003]晶体管可以均包括硅半导体或金属氧化物半导体。
[0004]应当理解的是，该
技术介绍
部分部分地意图提供对用于理解技术有用的背景。然而，该
技术介绍
部分也可以包括不是这里所公开的主题的对应的有效提交日期之前由相关领域技术人员已知或者理解的内容的部分的想法、构思或认知。

技术实现思路

[0005]公开提供了一种包括具有宽驱动电压范围的氧化物晶体管的显示装置。
[0006]公开也提供了一种用于制造显示装置的方法。
[0007]一种显示装置可以包括绝缘层、发光元件以及电连接到发光元件的像素电路，其中，像素电路可以包括第一晶体管，并且第一晶体管可以包括：金属氧化物半导体图案，包括源区、漏区和设置在源区与漏区之间的沟道区；第一栅极，设置在金属氧化物半导体图案上，并且在平面图中与沟道区叠置；以及金属氧化物图案，设置在第一栅极上。
[0008]在实施例中，绝缘层可以包括：第一绝缘层，设置在沟道区与第一栅极之间；第二绝缘层，具有设置在第一栅极与金属氧化物图案之间的第一部分、设置在源区上的第二部分和设置在漏区上的第三部分；以及第三绝缘层，设置在第二绝缘层和金属氧化物图案上。
[0009]在实施例中，第一绝缘层可以包括氧化硅层，第二绝缘层可以包括氧化硅层或氮氧化硅层，并且第三绝缘层可以包括氮氧化硅层和设置在氮氧化硅层上的氮化硅层。
[0010]在实施例中，第二绝缘层可以覆盖第一绝缘层的侧表面。
[0011]在实施例中，金属氧化物图案可以电接触第一栅极的上表面。
[0012]在实施例中，像素电路还可以包括设置在金属氧化物图案上的导电图案。
[0013]在实施例中，绝缘层之中的对应的绝缘层可以设置在第一栅极与导电图案之间，并且第一栅极和导电图案可以限定电容器。
[0014]在实施例中，第一晶体管可以基于电容器的充入电容来控制发光元件的驱动电流。
[0015]在实施例中，像素电路还可以包括第二晶体管，第二晶体管可以包括金属氧化物半导体图案，并且第二晶体管可以将数据电压供应到电容器。
[0016]在实施例中，金属氧化物图案的边缘可以与导电图案的边缘对准。
[0017]在实施例中，沟道区可以具有约3μm或更小的长度。
[0018]在实施例中，第一晶体管还可以包括电连接到第一栅极并且设置在金属氧化物半导体图案下方的第二栅极。
[0019]在实施例中，金属氧化物图案可以包括铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镓(Ga)、镁(Mg)、铪(Hf)和钛(Ti)中的至少一种的氧化物。
[0020]在实施例中，金属氧化物图案可以具有在约至约的范围内的厚度。
[0021]一种用于制造显示装置的方法，所述方法可以包括：在基体层上形成晶体管，晶体管包括金属氧化物半导体图案、第一绝缘层和栅极，金属氧化物半导体图案包括源区、漏区和设置在源区与漏区之间的沟道区，第一绝缘层设置在沟道区上，栅极设置在第一绝缘层上；形成覆盖栅极、源区和漏区的第二绝缘层；在第二绝缘层上形成金属氧化物层；蚀刻金属氧化物层的至少一部分；以及在第二绝缘层上形成第三绝缘层。
[0022]在实施例中，所述方法还可以包括：在金属氧化物层上形成在平面图中与栅极叠置的导电图案。
[0023]在实施例中，在金属氧化物层的至少一部分的蚀刻步骤中，导电图案可以用作掩模，并且可以由金属氧化物层形成在平面图中与导电图案叠置的金属氧化物图案。
[0024]在实施例中，金属氧化物图案的边缘可以与导电图案的边缘对准。
[0025]在实施例中，在金属氧化物层的形成步骤中，氧气可以相对于反应气体具有在约50％至约100％的范围内的分压。
[0026]一种用于制造显示装置的方法，所述方法可以包括：在基体层上形成晶体管，晶体管包括金属氧化物半导体图案、第一绝缘层和栅极，金属氧化物半导体图案包括源区、漏区和设置在源区与漏区之间的沟道区，第一绝缘层设置在基体层上并且覆盖金属氧化物半导体图案，栅极设置在第一绝缘层上；在第一绝缘层上形成覆盖栅极的金属氧化物层；蚀刻金属氧化物层的至少一部分；以及在基体层上形成第二绝缘层。
附图说明
[0027]包括附图以提供对公开的进一步理解，并且附图被并入该说明书中并构成该说明书的一部分。附图示出了实施例，并且与说明书一起用于解释公开的原理。在附图中：
[0028]图1是根据实施例的显示装置的框图；
[0029]图2是根据实施例的像素的等效电路的示意图；
[0030]图3是用于驱动图2中所示像素的驱动信号的波形图；
[0031]图4是根据实施例的显示面板的示意性剖视图；
[0032]图5是其中将氧化物晶体管的电压
‑
电流特性与硅晶体管的电压
‑
电流特性进行比较的曲线图；
[0033]图6是根据实施例的第一晶体管的放大示意性剖视图；
[0034]图7是其中将氧化物晶体管的电压
‑
电流特性与根据对比示例的氧化物晶体管的电压
‑
电流特性进行比较的曲线图；
[0035]图8A至图8F是示出根据实施例的显示面板的制造工艺的示意性剖视图；
[0036]图9是根据实施例的第一晶体管的放大示意性剖视图；
[0037]图10是根据实施例的第一晶体管的放大示意性剖视图；以及
[0038]图11A至图11F是示出根据实施例的显示面板的制造工艺的示意性剖视图。
具体实施方式
[0039]现在将在下文中参照附图来更充分地描述公开，在附图中示出了实施例。然而，该公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得该公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达公开的范围。
[0040]在该说明书中，当组件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一组件“上”、“连接”或者“结合”到另一组件时，表示组件(或区域、层、部分等)直接放置/连接/结合在所述另一组件上，或者第三组件或其它组件可以设置在它们之间。
[0041]将理解的是，术语“连接到”或“结合到”可以包括物理连接或电连接或者物理结合或电结合。
[0042]相同的附图标记或符号指相同的元件。在附图中，为了
技术实现思路
的有效描述，可以夸大组件的厚度、比例和尺寸。
[0043]在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或(并且/或者)”意图包括术语“和(并且)”和“或(或者)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：绝缘层；发光元件；以及像素电路，电连接到所述发光元件，其中，所述像素电路包括第一晶体管，并且所述第一晶体管包括：金属氧化物半导体图案，包括源区、漏区和设置在所述源区与所述漏区之间的沟道区；第一栅极，设置在所述金属氧化物半导体图案上，并且在平面图中与所述沟道区叠置；以及金属氧化物图案，设置在所述第一栅极上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括：第一绝缘层，设置在所述沟道区与所述第一栅极之间；第二绝缘层，具有设置在所述第一栅极与所述金属氧化物图案之间的第一部分、设置在所述源区上的第二部分和设置在所述漏区上的第三部分；以及第三绝缘层，设置在所述第二绝缘层和所述金属氧化物图案上。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层包括氧化硅层，所述第二绝缘层包括氧化硅层或氮氧化硅层，并且所述第三绝缘层包括氮氧化硅层和设置在所述氮氧化硅层上的氮化硅层。4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层的侧表面。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属氧化物图案电接触所述第一栅极的上表面。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电路还包括设置在所述金属氧化物图案上的导电图案。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述绝缘层之中的对应的绝缘层设置在所述第一栅极与所述导电图案之间，并且所述第一栅极和所述导电图案限定电容器。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一晶体管基于所述电容器的充入电容来控制所述发光元件的驱动电流。9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述像素电路还包括第二晶体管，所述第二晶体管包括金属氧化物半导体图案，并且所述第二晶体管将数据电压供应到所述电容器。10.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述金属氧化物图案的边缘与所述导电图案的边缘对准。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟道区具有3μm或更小的长度。12.根据权利要求1所述的显...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙尙佑，文然建，金恩贤，梁承浩，林俊亨，郑贤濬，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：