一种用于超薄膜制备的团簇束流沉积系统技术方案

本发明专利技术涉及团簇束流沉积装置，具体涉及一种用于超薄膜制备的团簇束流沉积系统，包括沉积腔，沉积腔通过连管与分子泵相连，沉积腔上分别设有TFO腔接口、取样腔接口、测试腔接口、磁控溅射端口，磁控溅射端口上连接有磁控溅射枪，沉积腔内部设有扫描底座，扫描底座包括框架、第一滑动座和沉积座，框架上设有用于驱动第一滑动座在平面内移动的平面驱动机构，平面驱动机构包括沿横向移动的第一推板，沿纵向移动的第二推板，以及分别开设于第一推板、第二推板上的第一限位开口、第二限位开口，第一滑动座设于第一限位开口、第二限位开口的交汇处；本发明专利技术提供的技术方案能够有效克服晶元团簇沉积效果较差、无法对衬底座进行有效调节的缺陷。缺陷。缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种用于超薄膜制备的团簇束流沉积系统


[0001]本专利技术涉及团簇束流沉积装置，具体涉及一种用于超薄膜制备的团簇束流沉积系统。

技术介绍

[0002]纳米材料又称之为超微晶材料，其团簇粒径介于1nm
‑
100nm，具有小尺寸效应、量子效应、界面效应和表面效应等独特而优异的物理性能，在陶瓷、微电子、化工、医学等领域具有广阔的应用前景。近十年来，围绕纳米材料的制备方法、性能测试和理论解释已成为各国研究的热点。
[0003]团簇是由几个乃至上千个原子、分子或离子通过物理或化学结合力组成的相对稳定的微观或亚微观聚集体，其物理和化学性质随所含的原子数目而变化。团簇广泛存在于自然界和人类实践活动中，涉及到许多物质运动过程和现象，如催化、燃烧、晶体生长、成核和凝固、相变、溶胶、薄膜形成和溅射等，因此针对团簇的研究是目前纳米材料的研究热点。
[0004]团簇离子束技术(ClusterIonBeam，CIB)广泛用于工件表面的掺杂、蚀刻、清洁、平滑以及薄膜沉积。团簇离子源通过电子轰击而离子化所产生的气体团簇包括数个到数千个或更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于超薄膜制备的团簇束流沉积系统，其特征在于：包括沉积腔(1)，所述沉积腔(1)通过连管(5)与分子泵(6)相连，所述沉积腔(1)上分别设有TFO腔接口(2)、取样腔接口(3)、测试腔接口(4)、磁控溅射端口(9)，所述磁控溅射端口(9)上连接有磁控溅射枪(10)；所述沉积腔(1)内部设有扫描底座(11)，所述扫描底座(11)包括框架(12)、第一滑动座(25)和沉积座(32)，所述框架(12)上设有用于驱动第一滑动座(25)在平面内移动的平面驱动机构，所述平面驱动机构包括沿横向移动的第一推板(21)，沿纵向移动的第二推板(22)，以及分别开设于第一推板(21)、第二推板(22)上的第一限位开口(23)、第二限位开口(24)，所述第一滑动座(25)设于第一限位开口(23)、第二限位开口(24)的交汇处；所述第一滑动座(25)上设有用于驱动沉积座(32)上下移动的竖直驱动机构，所述竖直驱动机构包括开设于第一滑动座(25)内部的容置腔(26)，固定于容置腔(26)内部的第三电机(28)，相对固定于容置腔(26)内壁的直线滑轨(29)，滑动连接于直线滑轨(29)之间的第二滑动座(30)，固定于第三电机(28)驱动轴上与第二滑动座(30)螺纹连接的第三螺纹杆，固定于第一滑动座(25)端部的挡板(27)，以及通过与挡板(27)滑动连接的连杆与第二滑动座(30)固定的安装座(31)；所述安装座(31)上设有用于驱动沉积座(32)转动的水平转动机构，所述沉积座(32)与安装座(31)转动连接，所述水平转动机构包括固定于安装座(31)上的第四电机(33)，固定于第四电机(33)驱动轴上的主动齿轮(34)，以及设于沉积座(32)上...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘风光，王碧，付晨，张晓强，赵巍胜，
申请(专利权)人：北京航空航天大学合肥创新研究院北京航空航天大学合肥研究生院，
类型：发明
国别省市：