一种氧过量铁磁性ZrO2薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氧过量铁磁性ZrO2薄膜的制备方法，将衬底置入磁控溅射设备中，开机抽真空，而后Ar离子轰击金属锆靶材进行预溅射；通入反应气体O2，对衬底进行ZrO2薄膜的溅射制备；将制备的ZrO2薄膜样品转入离子注入室，对ZrO2薄膜进行O离子的注入，最终制备得到Zr:O比失衡且O过量的ZrO2铁磁性薄膜。本发明专利技术溅射以金属锆为靶材的ZrO2薄膜的制备，工艺简单，可控操作性强；对所制备ZrO2薄膜进行O离子定量注入，最终达到薄膜中的O过量，使其向铁磁性转变，整个过程不会引入其他杂质。整个过程不会引入其他杂质。

【技术实现步骤摘要】
一种氧过量铁磁性ZrO2薄膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及了一种氧过量铁磁性ZrO2薄膜的制备方法，属于薄膜的制备


技术介绍

[0002]传统的铁磁性电子材料都是在半导体的基础上引入掺杂材料，从而在主材料上引入自旋，达到改变材料物理性能，金属掺杂是目前研究较多的掺杂元素，利用自身非金属材料的过量来改变其磁性功能不是很多见，ZrO2便是一种利用本身的Zr:O的变化可进行磁性改变的材料。现有铁磁性ZrO2薄膜的制备方法，主要是对ZrO2靶材进行掺杂得到的。现有方法制备的铁磁性ZrO2薄膜,由于制备过程中掺杂靶材的掺杂量是固定的，其铁磁性的大小也是固定的。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种氧过量铁磁性ZrO2薄膜的制备方法，其首先使用传统的溅射方法，进行符合化学计量比的ZrO2薄膜的制备，而后再配合O离子的定量注入，达到薄膜中的O过量，从而进一步改变薄膜的磁性。
[0004]一种氧过量铁磁性ZrO2薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）.对衬底材料进行常规超声波清洗；2）.将衬底置入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧过量铁磁性ZrO2薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：对衬底材料进行常规超声波清洗；将衬底置入磁控溅射设备中，开机抽真空，而后用Ar离子轰击金属锆靶材进行预溅射，达到去除靶材表面氧化物和杂质的目的，当真空度达到一定值时，预溅射完毕；通入反应气体O2，并设定工艺参数，对衬底进行ZrO2薄膜的溅射制备；溅射ZrO2薄膜完毕后，将ZrO2薄膜样品转入离子注入室，对制备的ZrO2薄膜进行O离子的注入...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈洪雪，彭塞奥，李刚，姚婷婷，
申请(专利权)人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司，
类型：发明
国别省市：