一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法及相关设备技术

本发明专利技术提供了一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法及相关设备，该方法包括：控制磁控溅射设备输出目标溅射功率，以使等离子体轰击金属靶材，在衬底光刻胶上沉积金属薄膜；在所述衬底光刻胶上沉积所述金属薄膜的过程中，对衬底光刻胶进行冷却降温，以控制所述衬底光刻胶保持在目标温度范围内。通过控制目标溅射功率，可以控制金属原子的溅射温度，控制光刻胶的升温速度，并对光刻胶进行冷却降温，控制光刻胶保持在目标温度范围内，可以避免光刻胶发生软化，导致金属原子在沉积过程中产生气泡缺陷，进而可以产品的质量和制备方法的实用性。进而可以产品的质量和制备方法的实用性。进而可以产品的质量和制备方法的实用性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法及相关设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法及相关设备。

技术介绍

[0002]在通过物理气相沉积法制备金属薄膜的过程中，由于等离子体轰击金属靶材表面，使靶材表面的金属原子逸出，下落至晶圆表面，形成相应的金属薄膜。在晶圆表面为光刻胶表面的情况下，金属原子下落过程中产生的能量会在与光刻胶接触的瞬间转换为热能，使光刻胶表面受热升温，长时间的受热会进一步导致光刻胶改性软化，出现气泡缺陷的现象。因此，目前的制备方法存在光刻胶与金属薄膜的结合性较差，生成的薄膜的均匀性较差，产品质量较差，成功率较低，进而会导致制备方法的实用性较差，还会造成资源浪费。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法及相关设备，以解决目前的基于光刻胶的金属薄膜沉积方法存在光刻胶与金属薄膜的结合性较差，生成的薄膜的均匀性较差，成功率较低，进而会导致制备方法的实用性较差，还会造成资源浪费的问题。
[0004]第一方面，本专利技术提供了一种基于光刻胶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法，其特征在于，包括：控制磁控溅射设备输出目标溅射功率，以使等离子体轰击金属靶材，在衬底光刻胶上沉积金属薄膜；在所述衬底光刻胶上沉积所述金属薄膜的过程中，对衬底光刻胶进行冷却降温，以控制所述衬底光刻胶保持在目标温度范围内。2.如权利要求1所述的一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法，其特征在于，所述目标温度范围的获取步骤包括：获取目标金属靶材原子的溅射温度(或对应的金属薄膜沉积温度)；获取衬底光刻胶的软化温度范围；根据所述衬底光刻胶的软化温度范围，确定所述衬底光刻胶的目标温度范围。3.如权利要求1所述的一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法，其特征在于，还包括：在所述衬底光刻胶上沉积所述金属薄膜的过程中，在所述衬底光刻胶的沉积表面的升温速率大于或等于冷却速率的情况下，控制停止所述目标溅射功率的输出；在所述目标溅射功率停止输出持续设定时间后，控制磁控溅射设备恢复输出目标溅射功率。4.如权利要求3所述的一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法，其特征在于，在所述控制磁控溅射设备恢复输出目标溅射功率的步骤之前，还包括：检测冷却水循环的输出水温；根据所述冷却水循环的输出水温判断沉积表面的温度是否在所述目标温度范围内。5.如权利要求1所述的一种基于光刻胶的金属薄膜沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖文贺，杨云春，陆原，李立伟，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：