【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微纳观模拟，特指一种用于研究电子器件结构多物理场界面的多尺度耦合 设计方法。
技术介绍
多层结构和多个界面是微纳电子器件本身以及器件互连和封装中普遍存在的现象，界 面分层失效成为产品性能和可靠性方面关心的重要问题。国外研究者通过大量实验发现界 面是微系统制造和运行中的关键部分，很多破坏和缺陷都发生在界面附近。但微观材料界 面规律的研究刚刚起步，以连续介质力学为基础的宏观理论已不再适用。微观材料界面物 理特征不仅与微结构的几何与材料分布形态有关，还与结构的宏观边界条件，各种载荷等 多种因素有关。通过微观途径，可以建立起对材料行为的基本认识，它正逐渐成为发展新材料和高性 能器件的不可或缺的重要手段。目前，分子动力学是微观建模的主要手段，许多在实验中 无法获得的微观细节，在分子动力学模拟中都可以方便地观察到，分子动力学在原子尺度 上比任何其他方法具有更高的时间和空间求解能力，因此，无法用连续介质分析方法求解 的微观物理现象都可以用分子动力学进行有效地研究，然而分子动力学计算所需的庞大的 时间是一个非常难以解决的问题，其计算时间随着原子数的增加而急剧增加...
【技术保护点】
一种微纳电子器件结构的多物理场界面多尺度设计方法，其特征在于采用如下步骤： １）描述耦合机制； ２）用分子动力学描述界面组织演化和材料缺陷特征； ３）用有限元为分子动力学模型提供热循环、弯曲、拉伸行为的边界条件； ４ ）进行界面多物理场特征的数学模拟。
【技术特征摘要】
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