一种晶圆处理方法技术

本申请技术方案提供一种晶圆处理方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中所述第一晶圆上形成有第一介质层，所述第二晶圆上形成有第二介质层；平坦化所述第一介质层至目标厚度，其中在部分所述第一晶圆和所述第一介质层的边缘形成第一修边区，且所述第一修边区包括平坦化所述第一介质层时形成的倒角缺陷；然后，采用第一修边工艺去除包括所述倒角缺陷的第一修边区；在所述第一介质层上形成第三介质层，并将所述第三介质层和所述第二介质层相贴合，键合所述第一晶圆和所述第二晶圆；减薄所述第一晶圆至目标位置，并采用第二修边工艺对所述第一晶圆和所述第二晶圆的边缘进行修边。本申请技术方案能够解决刀具损坏和晶圆崩边问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆处理方法


[0001]本申请涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种晶圆处理方法。

技术介绍

[0002]在进行晶圆封装时，为了避免减薄(grinding)工艺对晶圆边缘造成崩边(chipping)缺陷，通常会在减薄前对晶圆的边缘进行修边(trimming)。目前的修边工艺是通过刀具的高速旋转，对晶圆边缘进行机械打磨。
[0003]但是，多片晶圆连续修边时，会出现刀具脱皮(peeling)和晶圆崩边(chipping)的问题。

技术实现思路

[0004]本申请要解决的技术问题是多片晶圆连续修边时出现的刀具损坏和晶圆崩边问题。
[0005]为解决上述技术问题，本申请提供了一种晶圆处理方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中所述第一晶圆上形成有第一介质层，所述第二晶圆上形成有第二介质层；平坦化所述第一介质层至目标厚度，其中在部分所述第一晶圆和所述第一介质层的边缘形成第一修边区，且所述第一修边区包括平坦化所述第一介质层时形成的倒角缺陷；然后，采用第一修边工艺去除包括所述倒角缺陷的第一修边区；在所述第一介质层上形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中所述第一晶圆上形成有第一介质层，所述第二晶圆上形成有第二介质层；平坦化所述第一介质层至目标厚度，其中在部分所述第一晶圆和所述第一介质层的边缘形成第一修边区，且所述第一修边区包括平坦化所述第一介质层时形成的倒角缺陷；然后，采用第一修边工艺去除包括所述倒角缺陷的第一修边区；在所述第一介质层上形成第三介质层，并将所述第三介质层和所述第二介质层相贴合，键合所述第一晶圆和所述第二晶圆；减薄所述第一晶圆至目标位置，并采用第二修边工艺对所述第一晶圆和所述第二晶圆的边缘进行修边。2.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述第一修边区自所述第一介质层和所述第一晶圆的边缘向内部延伸第一宽度，并自所述第一介质层的表面向下延伸至所述第一晶圆中，且在所述第一晶圆中具有第一深度。3.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述第一宽度为0.3mm～1.4mm，所述第一深度为20μm～300μm。4.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王阳，阎大勇，赵娅俊，刘敏，槐宝，刘清召，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：