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本申请技术方案提供一种晶圆处理方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中所述第一晶圆上形成有第一介质层，所述第二晶圆上形成有第二介质层；平坦化所述第一介质层至目标厚度，其中在部分所述第一晶圆和所述第一介质层的边缘形成第一修边区，且所述第一修边...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。